根据外媒报道，随着全球第三大NAND闪存公司西部数据上半年正式上调固态硬盘（SSD）和硬盘驱动器（HDD）的价格，三星电子和SK海力士的NAND业务预计将转向2024 年第一季度扭...
SK海力士计划投资5.2万亿韩元，在美国印第安纳州建立用于人工智能（AI）的下一代高带宽存储器（HBM）半导体生产设施。该合资企业是该公司在海外的第一家HBM生产工厂，计划...
分类：名企新闻 时间：2024/4/7 阅读：370 关键词：SK海力士
SK海力士4月1日宣布，与国内特种气体公司TEMC合作开发出半导体行业首个氖气回收技术。这一成就是在与国内一家材料、零部件和设备公司开始开发回收技术一年多后取得的。 ...
分类：名企新闻 时间：2024/4/2 阅读：301 关键词：SK 海力士
根据了解，SK 海力士总裁兼首席执行官 Kwak Noh-jeong 3 月 27 日宣布，高带宽内存 (HBM) 的订单量将在明年之前保持“紧张”状态，并补充说“今年 HBM 在 DRAM 总量中的比...
分类：名企新闻 时间：2024/3/29 阅读：327 关键词：SK海力士
继HBM3取得成功后，SK海力士率先量产第五代HBM、HBM3E DRAM，并将其供应给美国半导体公司Nvidia，巩固了其在高带宽内存（HBM）市场的主导地位。 3月19日，SK海力士宣布...
分类：名企新闻 时间：2024/3/20 阅读：383 关键词：SK海力士
SK海力士公司今天宣布，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E1已开始量产，并于3月下旬开始向客户供货。七个月前，该公司公布了 HBM3E 开发的成功。 SK 海力士是 HBM3E 的第...
分类：业界动态 时间：2024/3/19 阅读：159 关键词：SK 海力士
集邦咨询：HBM3最初由SK海力士独家供应，AMD验证后三星股价快速上涨
TrendForce强调了HBM市场的当前格局，截至2024年初，该市场主要集中在HBM3 。NVIDIA 即将推出的 B100 或 H200 型号将采用先进的 HBM3e，标志着内存技术的下一步发展。然而...
分类：行业趋势 时间：2024/3/14 阅读：909 关键词：HBM3
继去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注。这一举措是预料之中的，因为在强劲的人工智能 (AI) 需求的推动下，高带宽...
SK海力士副总裁孙浩永表示：“就像公司一直坚持开发HBM，对其价值充满信心一样，我也将继续致力于开发下一代AI存储技术，引领快速变化的AI时代。” 2月27日，他表达了自己...
分类：行业访谈 时间：2024/2/29 阅读：425 关键词：SK海力士
作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士在HBM市场处于领导地位。日前，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因...
分类：业界动态 时间：2024/2/27 阅读：303 关键词：SK海力士
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：707
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2227
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：4653
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2809
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2144
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1493
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1456
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1398
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1471
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。相比之下，第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%，其它主要厂商的销
新品速递 时间：2007/8/7 阅读：1547
