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可支持1700 V IGBT

可支持1700 V IGBT资讯

英飞凌的EconoPIM 3封装IGBT模块额定电流将提高至150 A

英飞凌科技股份公司进一步扩大EconoPIM 3封装IGBT模块产品系列,模块的额定电流从100 A增至150 A,提高了50%。新的功率模块可以在相同尺寸下,满足对更高功率密度与日俱增...

分类:新品快报 时间:2017/7/17 阅读:219 关键词:英飞凌 IGBT 

IGBT鼻祖巴利伽教授为你讲述IGBT器件的前世、今生及未来

能源短缺、环境污染和气候变化已成为全人类面临的共同问题,世界各国都在寻求解决之路,而节能减排与发展新能源是解决这些问题的主要途径,在这其中电子电力器件的核心作用...

分类:业界动态 时间:2017/7/13 阅读:117 关键词:IGBT 

采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管产品组合阵容,推出最高电流达75 A的新产品系列。同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4...

分类:新品快报 时间:2017/6/28 阅读:132 关键词:封装 单管 IGBT 

IGBT产业研究:中国“芯”希望

2017年开年以来有这样一些事件进入我们的视线:①2月,IGBT等电力电子功率器件被列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》。②3月14日,捷捷微电上市,主营晶闸管等功率半...

分类:业界动态 时间:2017/6/8 阅读:119 关键词:IGBT 

安森美半导体(ON Semiconductor )的全系列IGBT

安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild半导体后,是全球第二大功率分立器件半导体供应商,在IGBT领域有...

分类:名企新闻 时间:2017/5/26 阅读:188 关键词:安森美半导体 IGBT 

Diodes推出闸极驱动器,简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换

Diodes公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器,皆为浮点高侧驱动器,简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动化...

分类:新品快报 时间:2017/5/23 阅读:327 关键词:Diodes 电源供应器 IGBT 闸极驱动器 

国内外IGBT产业链梳理

开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技...

分类:业界要闻 时间:2017/5/18 阅读:384 关键词:IGBT 产业链 

Power Integrations推出SCALE-iDriver系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品

Power Integrations推出SCALE-iDriver系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT,通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于最...

分类:新品快报 时间:2017/5/17 阅读:553 关键词:Power IGBT 

10年走完30年的路 中国芯开始领跑世界

刚刚过去的这个清明节,相信很多人又体会了一次高铁的魅力,小长假期间,每天奔跑在全国各条线路上的动车组多达5000列,您坐在高铁上,有没有想过,高铁为什么能跑这么快?...

分类:业界要闻 时间:2017/4/7 阅读:365 关键词:中国 

英飞凌推出全新 62mm 封装IGBT模块,实现更高功率密度

英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求,这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型...

分类:新品快报 时间:2017/3/18 阅读:237 关键词:IGBT 

可支持1700 V IGBT技术

如何用万用表判断IGBT的好坏

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两...

基础电子 时间:2018/1/12 阅读:202

变频器的原理与选型,及主电路结构

我们常常听到的变频空调等。那么究竟是什么呢?  原理  变频是现代电力电子技术领域发展而来的,是我们常用的直流电与交流电之间的变换装置。它还可以改变我们交流电的...

设计应用 时间:2018/1/4 阅读:337

IGBT的检测方法

IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)   一、用指针式万用表对场效应管进行判别   (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极   根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象...

设计应用 时间:2017/12/25 阅读:62

详解MOSFET与IGBT的本质区别

MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同。   1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。   2、IGBT可以做...

设计应用 时间:2017/11/27 阅读:579

一文读懂IGBT

IGBT是一种电压控制的电力三极管,你可以看作是一个高功率版本的CMOS管。特点是开关频率高,家庭方面的主要应用比如变频空调、电磁炉,微波炉,还有就是电脑电源的主动pfc还有UPS。工业方面应用主要用于各种电机驱动,从功能上来说,IGBT...

设计应用 时间:2017/11/1 阅读:319

如何确保MOS管工作在安全区

电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。  我们知道开关电源中、 是最核心也是最容易...

设计应用 时间:2017/10/27 阅读:453

IGBT的封装失效机理

IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成,个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中,单个IGBT还会并有续流二极管,接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶,最后用塑料壳封装,IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。   从...

设计应用 时间:2017/7/18 阅读:696

如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应

当在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt,这样会引发门极VGE间电压升高而导通,这是一个潜在的...

设计应用 时间:2017/7/11 阅读:857

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法

IGBT的工作原理和作用  IGBT就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。  IG...

设计应用 时间:2017/6/6 阅读:925

IGBT的结构与各种保护设计方法详解

绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT)  GTR和MOSFET复合,结合二者的优点,具有好的特性。80年代中期问世以来,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件。    IGBT的结构...

设计应用 时间:2017/6/6 阅读:532