2023 年对三星来说是糟糕的一年，因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响，三星电子的利润创下近年来最低水平。不过，预计...
分类：业界动态 时间：2024/3/14 阅读：458 关键词：NAND闪存芯片
TrendForce：预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存价格将上涨18-23%
TrendForce预计2024年第一季度移动DRAM和NAND闪存（eMMC/UFS）价格将上涨18-23%。如果品牌客户在压力下恐慌性抢购，这种上涨可能会进一步放大。 随着库存达到最低点以...
据业内消息人士称，西部数据已通知客户，未来几个季度 NAND 闪存的价格可能上涨高达 55%。 这是自西部数据计划合并或拆分动态以后首次在市场和价格方面进行调整。 西...
分类：业界动态 时间：2023/12/8 阅读：417 关键词：NAND闪存
在我们了解铠侠的故事之前，让我们先总结一下内存市场的现状。根据世界半导体市场统计（WSTS），2022年全球存储器市场规模为1298亿美元，其中DRAM将占778亿美元（占存储器...
分类：业界动态 时间：2023/10/8 阅读：417 关键词：NAND闪存
根据外媒消息，NAND价格已触底，知名分析师分析师郭明錤日前发文，三星8月涨价，美光9月调涨NAND Flash晶圆合约价，将在10%左右。据CFM闪存市场数据显示， 近一周512Gb TL...
分类：业界动态 时间：2023/9/7 阅读：255 关键词：NAND闪存
据台媒报道，三星电子将在今年第二季度将其NAND产能调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比，该数字减产了 5.34%。 特别是在第二季度，这家韩国半导体巨头在西...
分类：名企新闻 时间：2023/4/20 阅读：568 关键词：三星电子
铠侠和西部数据有 透露 他们共同开发的具有218个有源层的第8代BiCS 3D NAND存储设备。新IC拥有创纪录的3200 MT / s接口速度，使开发人员能够构建高性能存储子系统（例如 业...
分类：新品快报 时间：2023/4/3 阅读：462 关键词：3D NAND闪存
据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示，2020年起，NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长，2021年，NAND闪存市场份额达到了近670亿美元（见图1），同年，NAND闪存总容量...
分类：行业趋势 时间：2023/1/11 阅读：1482 关键词：NAND闪存
铠侠发文庆祝NAND闪存发明35周年。自铠侠的前身东芝存储在1987年发明NAND闪存以来，NAND市场已发展到700亿美元的规模，容量从zui初的4Mb增加到1.33Tb，实现了33万倍的增长...
分类：业界动态 时间：2022/5/9 阅读：2855
美国芯片厂商迈凌科技（MaxLinear）与NAND闪存控制器大厂慧荣科技（SiliconMotion）共同宣布，双方已达成了一项zui终协议，迈凌科技将以现金和股票交易方式收购慧荣科技公...
分类：名企新闻 时间：2022/5/7 阅读：1263
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：310
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：330
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
技术方案 时间：2017/6/27 阅读：1280
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪...
设计应用 时间：2016/7/13 阅读：3526
导读：日前，东芝公司（简称“Toshiba”）宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合的e·MMC标准。 ...
新品速递 时间：2013/11/6 阅读：1561
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
设计应用 时间：2011/1/20 阅读：2007
目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File S...
设计应用 时间：2010/9/1 阅读：2460
Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块，是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容，设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份，批量生产将在2010年第
新品速递 时间：2010/7/7 阅读：3257
NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪...
基础电子 时间：2010/6/8 阅读：4003
0 引 言 闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间...
设计应用 时间：2010/5/19 阅读：3204
