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内存芯片

内存芯片资讯

受内存芯片超级周期影响 SK/三星股价均下跌

摩根士丹利下调了对韩国科技巨头三星评级,理由是内存芯片业务的热潮很可能会很快到来,三星电子股价周一下跌逾4%至一个月低点。由于服务器和智能手机需求增加,价格上涨...

分类:业界动态 时间:2017/11/28 阅读:68 关键词:内存 芯片 三星 

东芝内存芯片业务收购方警告西数 想继续合作就放弃推翻这

由私募投资公司贝恩资本牵头的芯片业务收购财团(以下简称“收购财团”)警告西部数据,如果想继续合作关系,就放弃推翻这一交易的尝试,和解法律诉讼。收购财团与东芝达成斥...

分类:业界动态 时间:2017/10/26 阅读:265 关键词:东芝 内存芯片 西数 

东芝出售内存芯片业务子公司 苹果得到了什么?

据日本媒体报道,东芝最终决定将芯片业务子公司卖给美国基金贝恩资本主导的“日美韩联合体”。这部半导体“碟中谍”大戏终于大结局,作为剧中“路人甲”的苹果成了最大赢家,...

分类:业界动态 时间:2017/9/22 阅读:324 关键词:东芝 内存芯片 苹果 

美私募巨头KKR欲获优先购买权加速收购东芝存储部门

据外媒报道,据知情人士透露,美国私募股权巨头KKR & Co.正在与东芝进行谈判,希望获得这家日本公司的芯片部门的优先购买权,从而加速东芝出售芯片部门的过程,结束与其他潜在购买者的谈判。上述知情人士称,东芝支持KKR公司及其合作伙...

分类:业界动态 时间:2017/5/9 阅读:148

东芝出售内存芯片业务的大戏何时才能落幕?

北京时间3月29日,据《韩国经济日报》报道,韩国芯片制造商SK海力士(SKHynix)正在与日本金融投资者谈判,它们准备组成一个财团,联合竞购东芝业务。SK海力士是世界第二大...

分类:名企新闻 时间:2017/3/30 阅读:122 关键词:东芝 

SK海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能

据外媒报道,韩国SK海力士周四宣布,将在韩国和中国投资3.16万亿韩元(约合27亿美元)以提高存储芯片产能,抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商,SK海...

分类:业界动态 时间:2016/12/23 阅读:213 关键词:中国 

小米或用三星内存芯片、双镜头相机和OLED屏

有关小米与三星洽谈元器件供应协议的消息并非首次出现,但这次似乎可信度更高。据悉小米创始人兼首席执行官雷军将赴首尔与三星内存芯片和显示屏业务部门高管会谈。这预示着...

分类:业界动态 时间:2016/7/18 阅读:324 关键词:OLED 

中国存储产业布局初定,武汉新芯当领头羊

根据调研机构DRAMeXchange的数据,2014年中国DRAM消化量已达47.89亿颗(2Gbequiv),总计102亿美元,占全球产能的19.2%。一方面,中国武岳峰资本与赛普拉斯就收购美国半导...

分类:业界要闻 时间:2015/6/30 阅读:8420 关键词:中国 

国产内存芯片要来了 瞄准三星美光

自从去年国家集成电路产业计划(大基金)公布后,国内半导体事业的步伐明显加快。对于这撬动产业的1200亿资金,曾任大唐电信总裁现任中国半导体产业协会副主席的魏少军在接受EETimes专访时表示,有很大一部分是用以推动本土半导体制造业...

分类:业界要闻 时间:2015/6/23 阅读:586 关键词:三星 芯片 

三星考虑购入SK海力士内存芯片

4月19日消息,据国外媒体报道,三星电子移动业务主管J.K.Shin今日表示,三星正在考虑从SK海力士购入移动设备内存芯片。据了解,购入芯片将用于未来产品,包括本月将推出的...

分类:业界要闻 时间:2013/4/19 阅读:931 关键词:三星 芯片 

内存芯片技术

内存芯片参数介绍

具体含义解释:例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容

基础电子 时间:2008/8/11 阅读:3813

富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1186

Fujitsu新型2Mbit FRAM内存芯片供货上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低

新品速递 时间:2007/11/21 阅读:1269

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起,构成强

新品速递 时间:2007/11/20 阅读:1133

内存芯片封装技术的发展

随着计算机芯片技术的不断发展和成熟,为了更好地与之相配合,内存产品也由后台走出,成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分,内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封...

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1964

内存芯片封装技术“三级跳”

芯片的封装技术种类多种多样,诸如DIP、PQFP、TSOP、TSSOP、PGA、BGA、QFP、TQFP等等。芯片的封装技术已历经好几代的变迁,技术指标一代比一代先进,如芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数增

基础电子 时间:2004/12/13 阅读:1830

内存芯片产品