您好,欢迎来到捷配电子市场网 登录 | 免费注册

14nm制程

14nm制程资讯

以材料分析观点看英特尔两代14nm制程的演进

半导体大厂英特尔(Intel)创始人之一戈登?摩尔(Gordon Moore)在1965年发表了一篇文章,提出了上可容纳的晶体管数量,将以每24个月增加一倍的规律发展,这个理论经过数次演变,成为半导体产业界奉为圭臬的“摩尔定律”(Moore’s Law)...

分类:业界动态 时间:2017/5/9 阅读:87 关键词:英特尔 14nm 

传三星研发三代14nm制程、年底量产

三星电子的晶片部门风光不再,从金鸡母沦落至赔钱货,该部门1日宣称第三代14奈米FinFET制程的研发工作即将完成,似乎意图向台积电(2330)抢单,扭转颓势。韩媒etnews2日报导,去年三星电子量产第一代14奈米制程,名为LPE(LowPower

分类:名企新闻 时间:2016/5/4 阅读:247 关键词:14nm 

英特尔在14nm制程上推出32 Gbps串行解串器

2014年12月1日,北京——英特尔公司近日公布在14纳米制程上的1至32Gbps高速串行解串器(SerDes)硅片特性。以先前推出的1至16GbpsGP14纳米串行解串器为基础,新增32Gbps串行解串器是第二款产品,预计于今年年底上市。英特尔的

分类:新品快报 时间:2014/12/1 阅读:362 关键词:英特尔 14nm 

联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片

在Synopsys的协助下,台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm制程FinFET产品的制造,而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了

分类:新品快报 时间:2013/7/1 阅读:884 关键词:FinFET 晶体管 14nm 

多因素致英特尔14nm制程延迟

intel将在2013年生产新处理器-生产工艺代号为Broadwell,这种14纳米芯片将具有更加集成的设计特点,将是英特尔第一个真正的系统芯片(SoC化),因为这个芯片上将包含以太网、Thunderbolt或者USB3.0等功能。根据摩尔定律,集

分类:名企新闻 时间:2012/11/22 阅读:5026 关键词:英特尔 14nm 

台积电:14nm制程节点将用垂直型晶体管结构

据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的三栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。其中来自半导体代工巨头台积电公司负...

分类:新品快报 时间:2010/6/22 阅读:948 关键词:晶体管 14nm