IBM推出全新高速入门级闪存存储系统，满足现代化数据存储需求
IBMFlashSystem5200采用紧凑式机架,最大存储容量可达1.7PB; IBM会为系列存储产品增加IBMCloudSatellite支持能力,使混合云功能更加丰富 2月23日，IBM宣布推出全新高速入门...
分类：名企新闻 时间：2021/2/24 阅读：3568
在近日举行的中国闪存市场峰会上，中国闪存市场总经理邰炜表示，2018年全球半导体市场规模将达1500亿美元，其中闪存存储器将超过570亿美元，而中国消耗了全球产能的32%，意味着中国已是全球存储产业中最为重要的市场。集邦咨询半导体研究...
1月8日消息，在今天下午召开的华为存储2017年总结以及2018年策略更新媒体沟通会上，华为存储产品线总裁孟广斌表示：“要讲一个关键词的话，2017年是‘有质量的增长。’” ...
JEDEC固态技术协会上周分别在韩国首尔与台湾新竹举办的闪存存储高峰论坛吸引了超过500名工程师及产品设计师前来参会。高峰论坛主要侧重于介绍闪存存储器的未来发展趋势以及的标准建议与将要发布的标准。闪存存储器是如今消费电子产品中占...
分类：业界要闻 时间：2009/10/10 阅读：997
Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯（Graphene）是由没有卷成纳米管的纯炭原子薄膜构成，在此之前石墨烯已被用于IBM的超快速晶体管原型产品及其它领域。此次，由Rice大学教授JamesTo...
分类：业界要闻 时间：2009/1/13 阅读：1334 关键词：存储器
JEDEC固态技术协会(JEDEC)与移动产业处理器接口(MIPI)联盟宣布达成一项旨在评估双方合作可能性的谅解备忘录。根据这项协议，JEDEC与MIPI将考虑把MIPI的M-PHY规范作为JEDEC的通用闪存存储(UFS)规范的物理层面。JEDE
分类：业界要闻 时间：2008/12/26 阅读：775
美光联手太阳微系统公司延长闪存存储使用寿命可写入次数已达一百万次
美光科技有限公司日前宣布，美光与太阳微系统公司（SunMicrosystems,Inc.，下称Sun公司）合作开发了新的单层单元（SLC）企业级NAND技术，能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作，开发了可重复写入次数达100万次的
分类：名企新闻 时间：2008/12/22 阅读：303 关键词：存储
瑞萨科技发布世界上速度最快的4千兆位AG-AND型闪存存储器
目前，瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R4千兆位(Gbit)AG-AND*1型闪存存储器，可以提供世界上最快的10M字节/秒编程速度，用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月，将从日本开始样品发货，
分类：业界要闻 时间：2007/9/29 阅读：238 关键词：存储器
富士通公司日前表示，其将首次在北美市场上推出基于闪存芯片的笔记本电脑。此前，富士通公司在日本市场推出了多款P系列和Q系列、使用闪存芯片的笔记本产品。富士通公司负责移动产品市场开发的资深主管PaulMoore称，在目前的存储市场上，...
中芯国际与Saifun半导体日前共同宣布，中芯国际将采用Saifun的NROM技术研发生产闪存存储卡。Saifun的NROM技术在非易失内存技术领域是一个突破。NROM技术将存储能力提高到每个基本存储单元四字节，是一般基本存储单元的
分类：业界要闻 时间：2006/1/9 阅读：812 关键词：存储卡
石墨烯是一种二维晶体，最大的特性是其中电子的运动速度达到了光速的1/300，远远超过了电子在一般导体中的运动速度。这使得石墨烯中的电子，或更准确地，应称为“载荷子”（electricchargecarrier），的性质和相对论性的中微子非常相似。...
其它 时间：2011/9/5 阅读：1824
闪存（FlashMemory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NORFlash为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只
其它 时间：2011/8/25 阅读：1528
Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块，是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容，设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份，批量生产将在2010年第
新品速递 时间：2010/7/7 阅读：3257
近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用技术，扩展三星电子公司的存...
新品速递 时间：2010/5/18 阅读：3314
半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力，因为他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得成功，加之浮栅技术在满足更小工艺节点上可以预见到的问题，已经激起业界对氮...
基础电子 时间：2009/6/5 阅读：2046
瑞萨科技发布世界上速度最快的4千兆位AG-AND型闪存存储器
目前，瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R4千兆位(Gbit)AG-AND*1型闪存存储器，可以提供世界上最快的10M字节/秒编程速度，用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月，将从日本开始样品发货，
新品速递 时间：2007/10/8 阅读：1382
计算机及外设市场的需求半导体工业的进步，特别是对存储器的容量、数据处理时间和速度要求更高的高速处理器的发展，是推进计算机及外设市场发展的主要动力，例如，打印机正在成为多功能设备，并集成了更多的智能功能。同时，降低成本和集...
设计应用 时间：2007/9/30 阅读：2002
半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力，因为他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得成功，加之浮栅技术在满足更小工艺节点上可以预见到的问题，已经激起业界对氮...
技术方案 时间：2007/8/4 阅读：36
