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高通携手IDT和安森美共同设计多模无线充电接收器与传送器芯片

类别:名企新闻  出处:捷配电子市场网  发布于:2016-12-17 00:00:00 | 376 次阅读

    不同于联发科、博通(Broadcom)等处理器大厂自行开发产品的模式,高通(Qualcomm)则与独立型无线充电芯片商如IDT和安森美(On Semiconductor)展开合作,共同设计多模无线充电接收器(Rx)与传送器(Tx)芯片,以加速拱大无线充电市场大饼。
    高通产品管理资深总监Mark Hunsicker表示,该公司已先后与IDT、安森美达成协议,将共同开发第一代和第二代整合磁感应(MagneTIc InducTIon)和磁共振(MagneTIc Resonance)技术的多模无线充电Tx和Rx芯片,而最后的芯片所有权将归高通所有。
    Hunsicker指出,高通将以上述芯片为基础,开发出完整的Rx和Tx参考设计并提交给无线电力联盟(A4WP)进行认证,再提供给授权厂商,以满足众多品牌客户对多模无线充电方案的需求。
    高通同时布局多模无线充电的Rx和Tx,主要目的是建置完整的系统,让无线充电在智能手机、平板装置等产品皆可顺畅运作,且合乎法规要求,并加速市场普及。至今,高通已有两款Tx产品通过A4WP认证。
    Hunsicker认为,多模方案存在的时间应该会历经两代智能手机,以每一代智能手机的产品生命周期约18~24个月推估,两代时间约达48个月,这段时间终端消费者会使用双模无线充电模式的产品;而在过渡期之后,支援单模磁共振的智能手机数量将会大增。
    也因此,Hunsicker强调,该公司针对无线充电市场主要仍最关注磁共振标实姆⒄梗事实上,现阶段已有不少源始设备制造商(OEM)在开发支援单模A4WP磁共振无线充电技术的智能手机。
关键词:安森美 传送器 IDT 

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