三星2017年投资近百亿扩充存储产能，涨价潮将缓解？

发布于：2017/3/9 0:00:00 | 249 次阅读

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　　2016 年因为旗舰型手机Galaxy Note 7 搞出全面召回，进而停产的事件，让南韩科技大厂三星原本陷入亏损数十亿美元的情况。所幸，在半导体市场大好的浪头上，让三星不但逃过亏损危机，甚至还呈现大举获利的局面。因此，三星为乘胜追击，决定在半导体事业上增加投资力道。根据市场调查机构的报告指出，三星2017 年在半导体领域设备上的投资金额将比2016 年成长11%，达到125 亿美元的规模，而2016 年的设备投资金额为113 亿美元。
　　报告指出，2017 年三星的投资项目，记忆体和系统LSI 的投资比重为8：2 左右。目前，三星正在南韩京畿道平泽市附近，兴建世界规模的半导体生产线，预计在2017 年中完工后，投入V nand Flash 记忆体的量产。业界认为，随着物联网市场的扩大和高阶数位设备的陆续问世，记忆体的需求将大幅增加。因此，三星也对半导体市场的未来发展看好，扩大了投资的规模。
　　另外，南韩的另一家半导体大厂SK 海力士，2017 年将在设被上投资60 亿美元。这笔金额是第四大规模的投资，相较2016 年的51.8 亿美元，增加约14%。市场分析认为，继2016年下半年开始，包括DRAM 与Flash 市场恢复成长的态势之后，该公司就积极投入3D Nand Flash 记忆体的市场，并将将继续扩大投资规模。预计，2017 年SK 海力士首先在京畿道利川的下一代DRAM M14 生产线中，建立无尘室相关的基础设施上投入资金。
　　至于，半导体龙头的英特尔(intel)，2017 年则将在设备投资方面投入比2016 年成长25% 的金额，来到120 亿美元。英特尔2016 年在设备上的投资金额也比2015 年成长31%。事实上，英特尔从2016 年开始，实施了高强度的体质改善工程，并专注于伺服器领域的相关产品开发。英特尔2016 年总计在半导体研发部门投入了127.5 亿美元的资金，规模是三星的四倍还要多，成为半导体产业投资金额的龙头。
　　三星：存储领域的
　　三星在手机市场遭遇一定挫折，不过由于手机的出货量成长以及对更大容量的内存和存储的需求却让它在NAND Flash市场成为大赢家，据TrendForce的数据显示营收同比增长20.6%，市占率提升到36.6%创下新高。
　　目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎，由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度，在采用更低工艺的情况下却可以提供远比工艺更高2D NAND技术数倍容量，例如采用16nm工艺的2D NAND存储器容量为64GB，而采用21nm工艺的三星 48层3D NAND却可以提供高达256GB的容量。
　　采用更低工艺又可以获得更高可靠性，P/E擦写次数更高，这正是此前采用2D NAND为了增加容量而只好不断的采用更新工艺带来的问题，这也正是企业级而采用3D NAND技术可以在一定程度上解决了这个问题。
　　3D NAND技术以三星居于地位，2013年三季度它率先宣布该技术成功投产，之后每年都获得新的提高，从当初的24层到今年第四代的64层，更提出了明年将推出可能达到80层，业界估计它东芝、美光、海力士等约两年时间。
　　目前为止三星依然在NAND flash市场占据的优势，其市场份额处于地位，第二位的东芝市场份额为19.8%，落后三星约86.7%，Intel的市场份额仅有6.3%而且相比起上一年出现了0.3个百分点的下滑。
　　在DRAM方面，据研究机构DRAMeXchange的研究显示，2016年第四季DRAM总体营收大幅增长约18.2%，其中三星成为这内存涨价的赢家。三星在去年四季度仍然是DRAM内存产业的一哥，市场占有率高达47.5%，营收同比增长至59亿美元。同时，根据知名存储市场分析机构TrendForce数据，2016年第四季度，移动存储芯片市场收入总计高达55亿美元，比2016年Q3增幅达20%。在存储器行业，三星市场占有率高达61%。
　　在这次加强投资以后，三星又将进一步拉大与后面厂商的差距。

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