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Diodes 提升萧特基二极管的效能达 20%

类别:新品快报  出处:电子工程网  发布于:2017-07-13 | 374 次阅读

Diodes推出SDT 萧特基二极管系列,使用先进的深槽工艺,提供出色效能,且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。初始的 29 个装置系列产品,采用热效率封装,提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能,适合广泛的产品应用,例如 AC-DC 充电器/转接器、DC-DC 上/下转换及 AC LED 照明。

Diodes 公司的创新深槽工艺,使 SDT 萧特基二极管系列可达到最低 0.62V 的顺向电压 (VF),及 3.5μA 的漏电流。如此优异的效能,造就杰出的功率效率,使终端系统设计采用更为精巧的外型。此系列产品中,提供 5A 至 40A 的最大平均整流电流额定,峰值重复反向电压 (VRRM) 最高达 120V,顺向突波电流 (IFSM) 最高达 280A,确保完整温度范围内拥有可靠的系统运作。

PowerDI5、TO220AB 及 ITO220AB 封装选项,都能提供绝佳的热能转移特性,使 SDT 萧特基二极管系列能在严苛的应用中进行可靠运作。这些封装极为适合大量制造,SDP 零件可做为直接替换零件,取代一般平面型萧特基二极管。

详细信息请参阅 www.diodes.com


关键词:Diodes 二极管 

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