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国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

类别:业界动态  出处:今日头条  发布于:2018-05-17 15:42:17 | 237 次阅读

  2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道:中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产。
  

  国家存储器基地长江存储生产的3D NAND Flash晶圆
  


  中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产,并于今年4月9日获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。
  据悉,64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019 年实现量产。长江存储的目标,是2023年实现30万片/月产能,年产值1000亿元,预计满足国内闪存需求量50%。
 

  5月14日,国家存储器基地项目(一期)一号芯片生产厂房内,工人正在安装线缆

关键词:NAND Flash 存储芯片 

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