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联发科宣布推出中端芯片Helio P22 采用台积电12nm FinFET工艺打造

类别:新品快报  出处:电子发烧友网  发布于:2018-05-23 15:06:25 | 196 次阅读

5月23日早间消息,联发科宣布推出中端芯片Helio P22。Helio P22采用台积电12nm FinFET工艺打造,CPU设计为8核A53,最高主频2.0GHz。GPU采用PowerVR GE8320,频率650MHz,最高支持1600x720(20:9)屏幕分辨率,支持1080P 30FPS视频回放。

联发科宣布推出中端芯片Helio P22 采用台积电12nm FinFET工艺打造

内存支持LPDDR3/4X,频率最高1600MHz,容量最高6GB,闪存最高支持eMMC 5.1。

摄像头方面加入了AI面部解锁、智慧双摄(1300万+800万或单2100万)等,全网通基带,可双卡双4G待机、下行最高Cat.7,传输采用蓝牙5.0标准。

由于没有独立的EdgeAI,而是借助通用的深度学习计算框架,同时无性能大核,外界将P22视为P60的“小弟”,成为更平价的选择。

联发科称,P22已经进入量产,6月份就会有手机搭载它亮相了。

联发科宣布推出中端芯片Helio P22 采用台积电12nm FinFET工艺打造

关键词:联发科 台积电 cpu 

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