发布于：2018/6/27 10:06:27 | 875 次阅读
在去年11月，半导体行业观察曾经报道，本土宽禁带半导体初创企业英诺赛科打造的首条8英寸硅基氮化镓产线正式在珠海通线投产（报道原文：《首条8英寸硅基氮化镓量产线通线投产：这家企业会成为中国的英飞凌吗？》），填补了我国在这个领域的空白。
2018年6月23日，在江苏苏州市吴江区汾湖高新区，英诺赛科又宣布了一项新的重大决定：其占地368亩、一期投资总额高达60亿元的英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目正式落户当地，生产基地建设也同期开工，预计于2019年底正式通线投产。一期项目建成后，预计产能将达6.5万片8英寸功率与射频芯片，创造就业岗位逾2000个。
英诺赛科开工仪式
据介绍，新项目将继续聚焦在氮化镓和碳化硅等产品，目标是打造一个包括理论研究、材料研发与制造、器件设计、芯片制造、封装测试、失效分析和应用验证等全产业链半导体研发基地。为5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、电子信息、大数据等领域提供更先进的、高效、节能和低成本的半导体芯片。
英诺赛科创始人兼董事长骆薇薇博士表示，这次开工是一个新的起点、新的征程。背靠国内大规模第三代宽禁带半导体制造基地，英诺赛科会继续坚持为中国芯、中国半导体的崛起而奋斗。该公司CEO孙在亨也指出，宽禁带半导体将是一场革命，一场全新的赛跑，而他们正在成为这个领域的。
硅基氮化镓成为功率和射频的新选择
由于拥有低功耗、小尺寸、低电阻、高频率、高速开关等特点，氮化镓在最近几年也逐渐成为宽禁带半导体领域中一个走得比较快的先行者。很多厂商也开始探索在硅基和SiC基上的氮化镓应用。
与后者相比，硅基无论是价格、制造工艺兼容性，或者晶圆尺寸（可以做到8寸甚至12寸）上都有优势，再加上与硅工艺线兼容从而可实现氮化镓基与硅基器件、电路的片上集成，这就让硅基氮化镓被认为是产业化中竞争力的发展方向之一。而功率和射频两个领域则是他们的两个主要目标市场。
首先在功率器件方面，过去几十年，硅材料功率器件一直是市场应用的主力。但进入了最近几年，随着市场对节能减排，新兴应用对高功率、高工作频率的功率器件的需求，传统的硅材料的限制逐渐凸显。而拥有更高击穿电压、更低导电电阻、更快开关速度，且让小型化成为可能的硅基氮化镓器件成为市场的关注的热点。
来到射频方面，硅基氮化镓对高频率、多频段系统、海量微基站MIMO的支持及其低成本优势，使其成为5G时代射频PA的新选择。
在这两个方向产品的发展和市场推动下，硅基氮化镓市场爆发在即。
来自MarketsandMarkets的数据显示，在未来几年，的GaN功率器件的市场将以24.5%的复合年增长率（CAGR）快速增长，到2022年，整个市场的规模将会增长到19亿美元。而在射频氮化镓方面，Yole Développement的数据显示，到2023年，射频氮化镓的市场规模将大幅扩张3.4倍达13亿美元，2017~2023的年复合平均成长率CAGR为22.9%。
也就是说，氮化镓技术获得业界认可，已成为主流。
群雄环伺，英诺赛科的突围之道
在市场蛋糕的吸引下，很多厂商早已投入了相关技术的研发。从材料生产方面看，国际上对硅衬底氮化镓的异质外延的研究最早可以追溯到上世纪90年代末，经过了二十年左右的发展，相关的晶片也从2寸、4寸，一直发展到现在的8寸。至于厂商方面，正如我们之前的报道所说，EPC、GaN Systems、台积电、台湾汉磊就是其中的积极参与者。
但其实除了这些厂商以外，MACOM、IR（2015年被英飞凌并购）更是硅基氮化镓两个应用阵型中走得比较快的先行者。而他们的相关技术来源，可追溯到硅基氮化镓技术先驱Nitronex。其他硅基氮化镓企业还包括Navitas、Panasonic、TI等。
而以8英寸寸起家的英诺赛科则同时瞄准了这两个市场出击，有计划地推出涵盖30V-650V功率器件，功率IC与硅基氮化镓射频器件等。
英诺赛科方面表示，作为一个IDM，他们有属于自己的晶圆厂，且拥有一支国际的技术团队，成员均拥有5到10年硅基氮化镓量产经验。再加上其8英寸产线在设备、晶圆、成本、维护和供应链配套方面的优势，其产品未来在5G通信、数据中心DC-DC模块、太阳能微型逆变器、人工智能、新能源汽车、无线充电、无人驾驶激光雷达驱动等市场方面拥有先发的优势。
据半导体行业观察了解，英诺赛科最近已经向国内大厂完成了硅基氮化镓电力电子产品的送样，也是完成送样的国内硅基氮化镓企业，相关的射频产品也在按计划推进中。
根据英诺赛科的规划，未来还会研发SiC产品，推动我国的宽禁带半导体事业更上一层楼。
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