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RF功率半导体缩水两年后增长迅速,5年后增长率达75%

类别:行业趋势  出处:电子发烧友网  发布于:2018-07-10 10:51:47 | 2447 次阅读

根据Yole Développement公司最新名为“2017年RF功率市场和技术:GaN、GaAs以及LDMOS”的报告预测,随着电信运营商投入的减少,射频功率半导体市场在2015年和2016年缩水之后, 2016年至2222年该市场(3W以上的应用)将以9.8%的复合年均增长率(CAGR)增长,将从2016年的15亿美元增长到2022年的25亿美元以上,增长率达75%。

RF功率半导体缩水两年后增长迅速,5年后增长率达75%

此增长趋势是由电信基站升级以及小型基站部署推动的。

Technology & market分析师Zhen Zong表示:“在未来五年内向5G实施的革命性转型正在极大改变RF技术的发展。”这不仅适用于智能手机应用,而且还适用于3W以上的射频电信基础设施应用;而5G在这一射频功率市场为复合半导体提供了巨大商机。

Yole表示,市场目前正处于4G网络即将完成的阶段,并开始向5G转型,但仍有许多工作要落实。然而,有些事情是肯定的:新的无线电网络将需要更多的设备和更高的频率。因此Yole断定,对于芯片供应商而言,特别是射频功率半导体芯片供应商而言,这将是一大良机。

Technology & market分析师Dr Hong Lin指出:“电信基础设施(包括基站和无线回程)的市场规模占总市场的一半左右。2016年至2022年间,基站市场预计将以12.5%的CAGR继续增长,而电信回程市场则将以5.3%的CAGR继续增长。”

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同时,Yole指出,国防应用也为射频功率器件提供了良好的机会,因为采用砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)的固态技术替代传统的真空管设计是一种未来发展趋势。

在各种应用中,这些新技术提供了更好的性能、更小的尺寸和坚固性,因此它们逐渐占据了更多的市场份额。该市场在2016 - 2222年间将以4.3%的复合年均增长率(2022年上升20%)增长。

关键词:射频 

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