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记忆体市场供给缩减严重,存储涨价成定局?

类别:业界动态  出处:半导体行业观察  发布于:2019-07-12 10:01:52 | 833 次阅读

  由于日本对韩国限制半导体化学材料,将使记忆体市场供给大量缩减,业界传出,韩系记忆体厂在2019年第三季因化学原材料不足,恐减少20~30%的投片量,导致NAND Flash供给量急速减少,加上东芝记忆体因先前停电问题导致产能大减,法人指出,目前NAND Flash现货价已经开始喊涨。而DRAM的境况也是山雨欲来。
  三星、西部数据冲在最前?
  近期有模组业者表示,最近正在谈定第3季合约价,因三星、西部数据(WD)等业者带头喊涨,最近NAND Flash价格会先涨一小波,包括2D与3D NAND Flash价格都将走升,带动合约价也走扬。市场甚至传言三星的nand flash将减产。但这个已经被三星否认了。
  NAND Flash因供过于求,价格走跌许久,即使第3季是传统旺季,业界也不敢断言一定有旺季效应。据了解,NAND Flash价格止跌转涨的态势大致从6月中开始酝酿,部分模组业者评估,这波涨幅有机会达一成左右,可涨回原厂成本以上。
  有模组业者透露,先前把库存水位压低到一个月以下之后,因为消费性产品销售模式较为快进快出,接下来将先提高一些相关应用的记忆体库存,包括DRAM与NAND Flash。
  有模组厂认为,原厂会涨价,但库存情况影响后续涨势能否持续。若其他竞争对手为了抢生意可能不涨价,价格调涨策略就会面临考验。另外,下游厂商看需求面目前无法十分乐观,不敢大量备货,这波短期涨势会延续多久仍难说。NAND Flash现货价仍低于合约价,向下态势还没全面扭转。
  群联已停止对外报价?
  市场上传言,由于韩系记忆体厂传出减产消息,群联已经停止对外报价。
  事实上,群联不仅有SSD控制IC产品线,也有记忆体模组事业,且NAND Flash货源主要来自东芝供给,且由于全球NAND Flash六大主要供应商当中,两大就位在韩国,若减产数量增加,流失市占率势必有机会让日系及美系厂商瓜分,群联位属日系阵营同样有机会分得大饼。
  群联6月合并营收为33.44亿元,与5月维持持平,累计1至6月份的合并营收为191.26亿元,较去年同期微幅衰退2.56%。群联表示,6月记忆体模组总出货量相较去年同期成长6.35%,SSD与eMMC成品总出货量成长67%,SSD控制芯片总出货量成长93%,而记忆体总位元数(Total Bits)年度累计更是维持翻倍111%的高成长,再加上6月的营收表现稳定,显示快闪记忆体(NAND Flash)价格持续回稳趋势不变。
  另外,群联指出,近期因为NAND原厂陆续供给紧缩以及各种贸易制裁等因素,市场掀起一股NAND抢货潮,也正面带动NAND价格回稳,再加上客户持续回补库存因应旺季需求、群联PCIe 4.0 PS5016-E16 SSD等高阶储存方案陆续上市等正面因素,对群联下半年营收保持正面乐观。
  南亚科:DRAM现货价有望反弹
  南亚科总经理李培瑛昨(10)日指出,本季市况不确定性仍高,但受惠于进入备货旺季,包括手机、伺服器、个人电脑和消费性电子对动态随机存取记忆体(DRAM )需求都将回温,有助整体销售提升。他并证实,日韩贸易战升温,已有不少客户向南亚科询问能否增加供货。
  李培瑛昨天在法说会前记者会时释出讯息。针对DRAM价格止跌的时间点时,他认为,现货价跌幅已深,有可能先反弹;合约价则仍有跌价压力,但跌幅会缩小。
  李培瑛强调,本季不确定因素交错复杂,包括美中贸易战、日韩纷争,以及供应商库存仍高等变数,尤以美中贸易谈判及日本强化管制出口南韩半导体关键原料,影响需求和供应链变化最为关键,还要持续观察。
  李培瑛说,日本管制光阻剂等三项电子业关键原料出口南韩,这些原料是半导体制程关键原料,由于每项原料的化学特性不同,加上有很长的验证期,通常不会轻易更换,而日本又占有相当高比重,短期不容易更动。
  他说,日本在这些原料具有举足轻重地位,因此将会加速日韩双边贸易谈判。他并坦承,已有不少消费性产品业者询问南亚科能否增加供货,一旦韩厂DRAM供货受影响,南亚科会受惠,但这些仍取决于日韩贸易谈判进展,不便妄加臆测。
  整体而言,李培瑛认为,下半年会上半年好,不过因三星、SK海力士、美光等三大厂库存高,牵动价格变数大,无法精准预测价格走势,但各大厂缩减支出,供需会逐渐趋于平稳。
  南亚科今年资本支出持续保守,将较预估的72亿元再下修,应会低于70亿元。此外,为加速研发,持续调拨5%至10% 产能,做为制程与产品研发使用;10纳米制程是否取得美光授权或决定自行研发,会在今年底前拍板。

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