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三星、SK海力士堆叠层数超 100,闪存即将迎来春天?

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2019-08-16 11:32:59 | 1438 次阅读

  三星电子和SK海力士已经将闪存芯片的堆叠层数增加至100层以上,并以此作为提高半导体收益的重要武器。最近,主要的智能手机制造商正在扩大高容量旗舰手机的产出,预计数据中心运营商也将在2019年下半年扩大对NAND的需求。
   全球半导体设备制造商Ram Research在13日宣布,将为其产品组合增加“VECTOR DT”和“EOS GS”,这是针对高端NAND闪存大规模生产而优化的半导体设备解决方案。
  Lam Research的VECTOR DT和EOS GS针对大规模生产96层或更高层的NAND闪存进行了优化,并提高了现有设备的产量。
  换句话说,Ram Research产品组合的增加意味着三星电子和SK海力士正专注于高端NAND闪存业务,并专注于生产效率。
  “我们的客户继续大幅增加存储单元的层数,因此RAM压力可能会超过光刻设备的极限,”Ram Research说。
  此前针对三星电子和SK海力士的报道,NAND闪存市场的供需形势将从今年第三季度开始改善。
  这是因为三星,苹果,华为和小米等主要智能手机制造商正在推出256千兆字节(GB)以上的高端手机版本,数据中心运营商也在购买高容量固态硬盘。
  此外,由于6月份四日市东芝工厂停电导致NAND闪存总量减少,NAND闪存市场面临需求变化(价格上涨)。
  事实上,根据市场研究公司Dram Exchange的数据,NAND闪存(128Gb MLC)固定交易价格从6月底的3.93美元上涨1.78%至7月底的4.01美元。
  NH Investment&Securities研究员Doh Hyun-woo表示,“东芝,SK海力士和美光在第二季度大幅减产2~20%。此外,随着东芝工厂受到日本地震的影响,闪存供应开始大幅放缓。我们预计第三季度将满足供需,第四季度需求将超过供给。”预计下半年NAND市场将有所改善。
  闪存芯片创新工艺不断得到拓展。在企业级PC SSD应用上,三星电子开发了256Gb容量128层的高密度NAND闪存产品。今年下半年,该公司计划在智能手机应用上,推出堆叠层数达到100层以上的NAND闪存,进一步提高存储容量。
  SK海力士目前拥有高密度的96层高容量NAND闪存,而且计划大规模生产128层高容量的NAND闪存。在明年上半年,该公司也计划为智能手机提供更高的存储容量。
  业界人士表示,“半导体行业正专注于高端NAND闪存的大规模生产,因为预计下半年内存半导体市场将从NAND闪存中改善。”我们相信它将极大地促进解决供需失衡问题。”
  同时,据市场研究公司IHS Markit称,三星电子今年第一季度以34.1%排名第一,东芝排名第二,占18.1%;西部数据排名第三,占15.4%;美光12.9%,SK海力士以9.6%排名第五。
  

关键词:三星SK海力士

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