您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

Qorvo 黄靖:5G基站市场给氮化镓打开爆发空间

类别:行业访谈  出处:网络整理  发布于:2019-09-11 09:39:16 | 129 次阅读

  黄靖表示,复合化合物半导体在在未来几年5G的快速爬坡中将出现爆发性增长,尤其是在基站PA应用中,氮化镓将取代传统的LDMOS。就国内基站市场而言,Qorvo预估明年将有60万个宏基站部署。
  谈到基站与组网,黄靖说道毫米波频段不会像Sub-6GHz那么容易部署和组网,因此大部分都会在前传网络节点中出现,而今后主要的5G组网方式仍将是以Sub-6GHz为主。
  黄靖说道,作为基站来说,天线数量相对过去要增加,同时基站总功率也需要增加,高效率的需求是LDMOS必然被氮化镓所取代的最主要原因。“运营商基站建设的投资要考虑Capex和Opex,如何帮助客户实现更高的效率节约更多的成本,就需要高可靠的氮化镓材料,支持更低功耗,更高带宽和更高的频率。”
  黄靖表示,目前Qorvo基站用氮化镓的主流工艺为0.25μm,相比市场上0.4μm工艺,可在更高频率实现高性能。
  此外,除了氮化镓之外,Qorvo在发射端也有砷化镓产品,而接收端则包括了砷化镓和SOI及BAW的特色工艺技术。
  黄靖总结道,目前Qorvo提供了集成封装的组合方案,同时也针对更高性能的微波应用需求推出单片产品。
  谈及氮化镓的衬底市场是硅基还是碳化硅基时,黄靖认为目前硅基产品的低成本还没有体现出来,尤其是从衬底开始的整套配合,并不像碳化硅产业链一样完整。且目前碳化硅制程已经从4英寸即将扩展到6英寸,而硅基产品目前还没有规模量产到8英寸,因此想与碳化硅竞争尚需时日。但未来产业链成熟之后,低成本的硅基还是会有充足的发挥空间。

关键词:5G基站

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,http://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告