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NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应

类别:维库行情  出处:DIGITIMES  发布于:2019-01-04 10:45:38 | 1506 次阅读

  从2017年供不应求的荣景,NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期,生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货,新一代工艺技术及更大容量规格正伺机而出,供过于求与终端市场买气不足,导致2018年NAND Flash跌价幅度超过6成。
  到2018年底,每GB价格已下探至0.08美元,逐渐逼近部分厂商的成本价,在跌价、扩产等多重因素影响下,2019年市况风云诡谲,供应链洗牌淘汰赛一触即发,也为全球产业的竞合局势更加增添硝烟四起的氛围。


  NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应NAND位元产出连年成长 终端市场乱象横生
  DRAM与NAND Flash存储器市场在过去几年几经产业跌宕,在供过于求压力下,2015~2016年市价下滑,2017年再度风生水起、涨势不止,然而产业荣景未如预期延续,各家大厂竞相强化投资规模,3D NAND Flash新增产能开出,市场需求却成长平缓,加速2018年全球NAND Flash价格一路走跌。
  受到技术与良率瓶颈,2018年3D NAND良率提升速度并不如预期顺利,因而导致次级品在外流通销售,进而干扰市场价格,对应至终端应用,消费型SSD市场首当其冲。
  从2017年12月中~2018年第3季跌价幅度已经逾5成,120G SSD价格超跌下探0.2美元/GB关卡,质量参差不齐的问题延续至第3季,至于240GB和480GB价格在2018年累积跌幅也分别超过4~5成以上。
  业界原先期待在第3季传统旺季效应下,NAND Flash价格有望止跌反弹,不料智能手机出货平淡、换机热潮难再重现以及PC市场饱和等因素,导致旺季不旺,而供应端的64/72层3D NAND产出增加,供给过剩库存无法顺利去化,第3季平均合约价格跌幅达10~15%。
  相较于第3季市况呈现价跌量增,到了第4季进入了价量齐跌的局面,美中贸易战升温的市场忧虑、英特尔(Intel)CPU缺货以及苹果(Apple)新机销售欠佳,终端预期跌价心理因素,加速了第4季合约价跌幅扩大,业界估计,从年初至第4季的NAND Flash跌幅约达6成,远超过年初预期。
  据DIGITIMES Research估计,NAND Flash位元出货量从2017年起连续呈现3~4成的成长率,包括在2017年成长36%、2018年拉升至成长43%,即使业界预期,2019年NAND Flash价格将会进一步走跌,但依旧有更多产能前仆后继投入,预计2019年位元出货量仍达到39%,整体市场延续供过于求风雨欲来。


  NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应96层堆叠迈向主流 QLC量产带来容量价格战
  NAND Flash技术工艺的升级,在强化了个别企业的竞争力之余,也发挥了大容量及储存密度的成本优势,国际大厂如三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)与威腾(WD)、美光(Micron)、英特尔、SK海力士(SK Hynix)投入军备竞赛的战线延长。
  目前3D NAND已是各大原厂主要量产工艺,其中,三星3D NAND约占85%、东芝与威腾为75%、美光达到90%,SK海力士也达到60%,2018年下半起,部分业者已转向96层堆叠迈进,单颗Die容量也迈入1Tb(128GB)。
  各家NAND业者大举进攻新世代工艺,2018年也是QLC(4bit/cell)架构量产元年,相较目前TLC NAND,QLC NAND技术的位元密度高出了33%,将可发挥高容量优势。
  其中美光抢得业界先发量产,首先将64层QLC产品推入企业级应用,锁定服务器市场,而三星也不甘示弱切入消费性电子市场,并推出1Tb QLC SSD新品,后续再推出企业用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD产品价格,比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD约便宜40%左右,俨然透露出积极价格攻势的强烈企图。
  部分反应较快的厂商早,已嗅到大容量价格战的到来,从年中起陆续降价出清库存的中小型容量SSD,试图降低QLC带来的冲击,接下来SK海力士、威腾与东芝也将各自推出自家的QLC产品,容量最高可达单颗4TB的储存量,TB级SSD时代即将来临。
  不过先前一度传出64层QLC良率偏低,QLC晶粒良率仅约5成左右,以此估计,2019年上半恐怕将再度重演2018年市场次级品拖累价格的梦魇,且QLC工艺更为困难,估计业界改善量产良率的时间可能会再拖长。


  NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应国内存储器业者崛起 NAND扮演领头羊
  据国内市调公司统计,2018年全球半导体市场规模达到1,500亿美元,其中NAND Flash超过570亿美元,而中国市场消耗了全球产能的32%,这意味着中国已成为全球主要的市场,为了摆脱长期对外采购的依赖,国内存储器芯片自主发展成为当务之急。
  不过福建晋华与美光从互控侵权、进而演变为美国政府对福建晋华祭出禁令后,国内DRAM产业发展势必将遭到延宕,而长江存储迈入量产正蓄势待发,成为国内自主NAND技术突围发展的重要指标厂商。
  长江存储的32层3D NAND已顺利问世,并进入小量生产,但32层堆叠工艺缺乏竞争力,据业界指出,日前长江存储采取Xtacking架构的64层NAND样品,已送交给相关供应链进行测试。
  由于读写质量大致稳定,若进度符合预期,预计最快2019年第3季将可望投产,届时将有机会转亏为盈,而长江存储也规划2020年将跳过96层3D NAND,截道超车跨向128层3D NAND。
  随着长江存储武汉存储基地一期已投入生产,原预计产能为10万片,实际产能可达15万片,而武汉存储基地二期也紧接着开工,并持续扩大生产规模,随着量产技术提升及规划产能30万~45万片全数开出,未来将有机会抢进全球约10%市占率。
  长江存储的母公司清华紫光集团同时在其它据点推展建设进度,包括南京厂与成都厂先后于年底前进入动工阶段,合计三大生产基地将投入人民币1,800亿元生产3D NAND芯片,另一方面,紫光集团也频频招手英特尔合作,欲倾集团资源之力全速发展NAND Flash工艺。
  业界认为,国内崛起进入NAND Flash市场只是时间问题,虽然2019年仍处于试车阶段,但在逐渐增加产出贡献后,在进行技术转变的过程中,仍需要解决量产良率的问题,而良率不合格问题产品是否将影响市场秩序,将值得观察。
  全球群雄逐鹿 NAND产业腥风血雨
  相较于DRAM产业在经历了汰弱留强后,如今全球仅剩下三星、美光与SK海力士等三大巨擘,而三星更占据全球DRAM近5成市占, NAND产业正处于战国群雄各自割据,各家供给产出扩张、价格下滑刺激需求,将为2019年NAND产业带来契机、也带来严峻考验。
  三星已宣布量产第五代90层以上3D NAND Flash,并将陆续投资70亿美元在西安设立第二家NAND Flash制造工厂;东芝与威腾合作四日市工厂Fab 6从2018年9月起量产96层3D NAND;市占率最低的英特尔也宣布位于大连的第二期NAND工厂投产,并生产96层3D NAND;SK 海力士于10月在韩国忠清北道清州举行M15工厂启用典礼,开始生产96层堆叠的3D NAND。
  虽然在价格跌幅不只的压力下,近来东芝与威腾有意放缓四日市工厂第二期的96层3D NAND机台设备导入进度,而美光也预计2019财年NAND晶圆产能的资本支出将较2018年度调降等,但群雄逐鹿NAND产业版图,预料各大NAND业者扩充军备仍将马不停蹄。
  除了加码投资力道外,产业技术竞争也延伸至技术人才挖角,据传,英特尔为了建立大连厂3D NAND团队,分别锁定三星与SK海力士的核心工程师,另一方面,英特尔近日也控告前员工窃取3D Xpoint技术资料后投奔美光,半导体产业抢人大战延伸至存储器产业的战线越趋激烈。
  此刻必须回头再思考的是,为何NAND业界仍要继续扩充产能?受惠于降价带动消费性SSD搭载率将加速成长,2019年SSD渗透率将有机会与HDD进入交叉点,另一方面,在人工智能、云端运算、边缘运算、物联网等应用快速普及的情况下,衍生的大数据演算需求,将对储存装置对容量、可靠度与效能的要求也越来越高。
  2018年NAND价格已回到了2016年涨价前的价格水平,短暂的NAND Flash缺货涨价美好时代已然结束,取而代之的将是透过降价激励,而带动各类应用需求成长百花齐放,伴随而来的将是强者愈强、技术性能取胜的产业淘汰赛,2019年NAND Flash产业再现洗牌效应,更将掀起全面性的储存容量价格战。

关键词:NAND Flash 

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