EUV光刻新进展 IBM与AMD合推首款试验芯片

发布于:2008/2/29 10:38:20 | 707 次阅读

  近日AMD称与合作伙伴IBM宣称,首次利用EUV光刻技术制造出一颗45nm工艺试验性芯片。

  这颗芯片使用的是全场(Full-Field)超紫外(EUV)光刻技术,尺寸为22×33mm。此前使用EUV技术生产的芯片部件都是窄场(Narrow-Field)的,只设计整个芯片的一部分,而AMD和IBM将其延伸到了芯片上的全部区域,整个层金属互联层都使用了这种技术。

  AMD是在德国德累斯顿Fab36晶圆厂使用193nm沉浸式光刻技术制造这颗芯片的,随后将其运往IBM在纽约首府奥尔巴尼纳米科学与工程学院的研究工厂,使用荷兰光刻设备供应商ASMLHoldingNV的一台13.5nmEUV设备光刻芯片晶体管之间的层金属互联层,最终完成了这颗芯片。

  最近二十年来,业界一直认为EUV平版印刷术是最有希望的下一代微芯片生产工艺。早在1997年,Intel、AMD、摩托罗拉就联合成立了一家名为“EUVLimitedLiabilityCorporation”的公司,试图在100nm工艺水平上取代深紫外线(DUV),但后者近来不断进步,已经可以在45nm工艺上大规模量产了,并普遍被认为能延续到22nm。

  当然,DUV技术早晚都会走到尽头,向EUV的转换可能会出现在16nm工艺上,时间大概是2013年左右。

  AMD称,要想将EUV光刻投入实际生产,必须将这种技术扩展到整个微处理器的所有关键层上,而不仅限于金属互联层。AMD认为,EUV光刻必须在2016年之前获得投产,因为届时将到达22nm工艺极限。

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