安森美半导体IGBT能够实现高性能开关应用

发布于:2013/12/13 0:00:00 | 974 次阅读

  今天,不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用,绝缘栅双极晶体管(IGBT)都可以提供有效的解决方案,以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上,电子设计人员可以实现高能效的器件,而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案,广泛用于电磁炉、不间断电源(UPS )、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。

  IGBT技术概述

  IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型 (NPT)、沟道场截止型 (FS) 代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工艺的进步,开始采用50微米晶圆及金属背板,超薄晶圆及其背面处理工艺减少了IGBT的导通和开关损耗。

  对比沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT可以发现,前者的电场强度在硅漂移区 (n-FZ)线性递减到0,硅漂移区厚度与耐压成线性正比,因此具有高导通压降和高关断损耗;后者用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度,实现了超薄晶圆,从而实现了低导通压降和低关断损耗 (图1)。

  从技术趋势看,6至8英寸晶圆的厚度在不断缩减,从最初的250 μm到目前生产的100 μm和75 μm,还有50 μm和40 μm厚度正在研发当中。可以预期,今后IGBT的性能仍有望提高。

  安森美半导体IGBT产品及应用市场

  安森美半导体提供完善的IGBT产品系列,可以根据频率、应用和电压进行分类 ,不同产品有不同的特性和应用范围。

  安森美半导体的29款场截止代IGBT中600伏 IGBT 性能接近或超过市场产品;新发布的8款1200伏/1350伏用于电磁感应加热的场截止型第二代IGBT,其性能于市场同类产品;还有新发布的3款1200伏场截止型第二代通用IGBT,性能与市场同类产品相媲美。

  在工业应用方面,分立式IGBT的市场应用主要包括电机驱动、逆变式电焊机、变频驱动、功率因数校正,安森美半导体提供的主要产品有1200 V/ 15 A-40 A及600 V/ 30 A-50 A;用于不间断电源、太阳能逆变器、高效功率转换器应用的主要产品是600 V/30 A-50 A及1200 V/15 A-40 A;而用于家用电器,如电火锅和电饭锅、厨用电炉、空调机功率因数校正的主要产品有1200V/15A-40A、600V/30A-40A和600V/30A-50A。

  安森美半导体同时提供相应的技术支持,如2千瓦电机驱动测试系统、2千瓦电磁炉测试系统、3千瓦功率因数校正测试板、10千瓦中点钳位转换器,以及用于测试IGBT模块的100千瓦太阳能逆变器,350安培逆变式电焊机正在开发中。

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