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*童大功率场效应管FQPF8N60C N通道MOS 场效应 MOS管

*童大功率场效应管FQPF8N60C N通道MOS 场效应 MOS管
*童大功率场效应管FQPF8N60C N通道MOS 场效应 MOS管
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

普通会员
  • 企业名:深圳市品慧电子有限公司

    类型:经销商

    电话:

    联系人:全汉桃

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市南山区 天安数码城天祥大厦AB座9B2-36

商品信息

制造商: Fairchild Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
晶体管*性: N-Channel 
汲*/源*击穿电压: 600 V 
闸/源击穿电压:  /- 30 V 
漏*连续电流: 7.5 A 
Drain-Source On Resistance: 1.2 Ohms 
配置: Single 
*大工作温度:  150 C 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220F 
封装: Tube 
下降时间: 64.5 ns 
Forward Transconductance - Min: 8.7 S 
*小工作温度: - 55 C 
功率耗散: 48 W 
上升时间: 60.5 ns 
工厂包装数量: 50 
典型关闭延迟时间: 81 ns 
*件号别名: FQPF8N60C_NL

联系方式

企业名:深圳市品慧电子有限公司

类型:经销商

电话:

联系人:全汉桃

地址:广东深圳中国 广东 深圳市南山区 天安数码城天祥大厦AB座9B2-36

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