IRF530，采用TO-220AB封装方式。
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 值:-31A
电压, Vds :55V
开态电阻, Rds(on):0.06ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs :-4V
功耗:110W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:110W
器件标记:IRF5305
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1.4°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:55V
电压, Vds 典型值:-55V
电流, Id 连续:31A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab
3 s
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th 典型值:-4V

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