PhotoMOS的特点

PhotoMOS与传统的机械型继电器的区别在于：PhotoMOS是一款“光电耦合器”，触点不进行机械性的开闭。为此，在触点可靠性、寿命、动作声音、动作速度、以及尺寸大小方面具有卓越的特性。
另外，即使是相同的光电耦合器，由于所采用的输出元件不同，也分为很多种类。其特点和用途有所差异，但是由于PhotoMOS在输出元件中采用了功率型MOSFET，因此与光闸流管和光电晶体管方式相比，这款转换设备适于对微小的模拟信号进行控制。

 

PhotoMOS优势

与触点进行机械性开闭的机械继电器相比
长寿命（没有机械性、电气性寿命）
可实现高速?高频率的开闭
高灵敏度（低消耗功率）
尺寸小巧
电弧?弹跳?干扰等触点故障少
耐震动?冲击
安装方向上没有限制
与可控硅输出的SSD（可控硅光电耦合器）相比
可对微小的模拟信号进行控制
AC/DC兼用
灵敏度良好
漏电流小
偏置电压小
除1a外，还备有2a、4a、1b、2b、1a1b等丰富的触点构成

 

 

规格详细

项目	内容
订货产品号	AQW212
特点	高性能与经济性兼顾 的Photo MOS2a型！
封装	DIP8
端子形状	Through Hole
包装方式	Tube packing
连续负载电流	0.5A
负载电压	60 V
导通电阻(平均)	0.83 ohm
输出端子间容量(平均)	80 pF
国外标准	UL, C-UL
触点结构	2a
耐电压	1500V AC
导通电阻()	2.5 ohm
开路状态漏电流()	1μA
允许LED电流	50mA
LED反向电压	5V
正向电流	1A
部允许损耗	75mW
动作LED电流(平均)	1mA
动作LED电流()	3mA
复位LED电流()	0.4mA
复位LED电流(平均)	0.79mA
LED压降()	1.5V
动作时间(平均)	0.65ms
复位时间(平均)	0.08ms
全部允许损耗	850mW
使用环境温度	-40℃～ 85℃
保存温度	-40℃～ 100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
输入/输出间端子容量()	1.5pF
输入/输出绝缘电阻()	1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA

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