MOS场效应管DFN 5x6  AON6236

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：26nC @ 10V

Vgs（值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：1225pF @ 20V

功率耗散（值）：4.2W（Ta），39W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

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