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肖特基二极管S20U150CT_品牌供应

  • 型号/规格:

    S20U150CT

  • 品牌/商标:

    CT(沛倫)

  • 封装形式:

    TO-220AB

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:沛伦科技(深圳)有限公司

    类型:生产企业

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    地址:广东深圳东莞市东城区东纵路208号东城万达广场B区6栋办公楼2409室

商品信息

S20U150CT肖特基二极管特点:

‧低功耗,高效率

‧低正向压降

‧高正向浪涌能力

‧高频工作

‧优良的高温稳定性

‧沟槽MOS肖特基技术


S20U150CT肖特基二极管机械数据:

‧案例:TO-220

‧极性:标

‧重量:的逼近1.86克



S20U150CT肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和 200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。


最大额定值和电气特性,在25℃的环境温度,除非另有规定等级。单相半波,60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载,减免电流20%


   公司成立於1985年,创立CT自有品牌以各系列之Rectifier Diode为主力产品,从晶圆设计开发 >封装制造 >成品测试 >产品销售结合於一体;工厂座落於山东淄博(员工计有1100人),目前销售网点有台北汐止.深圳.苏州.山东.长沙等处(员工计有70人). 本着以客为尊之服务精神,持续强化人员专业素质, 并提供更多之附加服务价值, 以提升竞争力,为因应AC-DC , DC-DC , DC-AC等电源产业客户采购之整合配套需求,公司也规划代理相应之产品,目前代理品牌有 冠西(COSMO : Photo couple ..), 奥士特 ( Orister : PWM- IC , LDO ..) AUK(高压MOSFET,BJT ..) , SEMIHOW(高压MOSFET) 尼克森 (Niko-semi 低压MOSFET ) , MEGAWIN(MCU,LED DRIVER)…等。


    小贴士:肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别


    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。


    肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。


    这两种管子通常用于开关电源。


    肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!


    前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!


    快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.


联系方式

企业名:沛伦科技(深圳)有限公司

类型:生产企业

电话: 0755-82877988

手机:13316866759
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联系人:郭中華;李晶晶

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邮箱:coco@compact-tech.com

地址:广东深圳东莞市东城区东纵路208号东城万达广场B区6栋办公楼2409室

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