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SI4848DY-T1-E3 N沟道MOS管 单价

SI4848DY-T1-E3  N沟道MOS管 单价
SI4848DY-T1-E3  N沟道MOS管 单价
金牌会员 第 9
  • 企业名:湖人半导体(深圳)有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82578272
    0755-82577852

    手机:16670529611
    13302942150

    联系人:王小姐/雷小姐

    QQ: QQ:2881224521QQ:2881218494

    微信:

    邮箱:hurenbandaoti@chinaxilinx.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A

商品信息

型号:SI4848DY SI4848DY-T1-E3

厂商:VISHAY品牌

封装:SOP-8/8-SOIC

包装:2500PCS/盘

批次:2016+

类型:MOS管

描述:150V 2.7A N沟道 MOS管

丝印(打字):4848

备注:全新VISHAY原厂原装现货 

SI4848DY-T1-E3 特性

无卤根据IEC 61249-2-21的定义

TrenchFET®功率场效应管

符合RoHS指令2002/95 / EC

SI4848DY产品目录

SI4848DY一般信息

数据列表SI4848DY-T1-E3 ;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列TrenchFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.7A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)6V,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2V @ 250μA()不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)21nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)-Vgs(值)±20VFET 功能-功率耗散(值)1.5W(Ta)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)85 毫欧 @ 3.5A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装封装8-SO封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)




联系方式

企业名:湖人半导体(深圳)有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82578272
0755-82577852

手机:16670529611
13302942150

联系人:王小姐/雷小姐

QQ: QQ:2881224521QQ:2881218494

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