IR2101S特点

设计为引导操作浮动通道

充分运作，以+ 600V

耐负瞬态电压

的dV / dt免疫

栅极驱动电压范围为10〜 20V

欠压锁定

3.3V ， 5V ， 15V和逻辑输入兼容

匹配的传播延迟为两个通道

输出同相输入端（ IR2101 ）或退出

与输入相（ IR2102 ）

IR2101S描述

IR2101(S)/ IR2102(S)是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动程序和独立的高低端引用输出通道。专有HVIC和门闩免疫CMOS技术使加固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS兼容或LSTTL输出,降至3.3 v逻辑。输出驱动特性高脉冲电流缓冲阶段为司机cross-conduction而设计的。流动通道可用于驱动一个n沟道功率MOSFET和IGBT在高压侧配置运营600伏特。

IR2101S产品详细信息

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon

Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC

栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V

CMOS 施密特触发器输入

两个独立的栅极驱动器

匹配的传播延迟，用于两个通道

输出相位，带输入

无铅，符合 RoHS

IR2101S产品原理图

IR2101S典型的连接

IR2101S产品一般信息

数据列表IR2101,02 (S) (PbF);标准包装2,500包装标准卷带 类别集成电路（IC）产品族PMIC - 栅极驱动器规格驱动配置半桥通道类型独立式栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 电源10 V ~ 20 V逻辑电压 - VIL，VIH0.8V，3V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）210mA，360mA输入类型非反相上升/下降时间（典型值）100ns，50ns工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SOIC

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

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