IRF1010E描述

先进HEXFET®国际整流器的功率mosfet利用先进加工技术达到极低的导通电阻/硅区域。这个好处,加上快速切换速度和加固的设备设计HEXFET功率mosfet是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。

在TO- 220封装普遍的所有商业工业应用的功率耗散水平到约50瓦。低热的TO- 220贡献电阻和低封装成本在整个行业中的广泛接受。

IRF1010E产品特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

IRF1010E原理图

IRF1010E一般信息

数据列表IRF1010EPbF;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）84A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）130nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）3210pF @ 25VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）200W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）12 毫欧 @ 50A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

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