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MMUN2111LT1G 晶体管

MMUN2111LT1G 晶体管
MMUN2111LT1G 晶体管
  • 型号/规格:

    MMUN2111LT1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    中频

普通会员
  • 企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司

    类型:

    电话: 0755-28892389
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    邮箱:szsrqxhj@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城:办公室:华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室

商品信息 更新时间:2018-06-14

制造商 ON Semiconductor

制造商零件编号 MMUN2111LT1G

描述 TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

一般信息

数据列表 MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3;

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置

系列 -

规格

晶体管类型 PNP - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(值) 100mA

电压 - 集射极击穿(值) 50V

电阻器 - 基底(R1) 10 kOhms

电阻器 - 发射极基底(R2) 10 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(值) 35 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(值) 250mV @ 300μA,10mA

电流 - 集电极截止(值) 500nA

功率 - 值 246mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

文档

产品目录页面 1562 (CN2011-ZH PDF)

PCN 组件/产地 Wafer Source Addition 26/Nov/2014

PCN 设计/规格 Copper Wire Update 10/Sep/2015

Glue Mount Process 11/July/2008

Gold to Copper Wire 14/Oct/2008

SOT23 16/Sep/2016

图像和媒体

产品相片 SOT-23-3

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