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分立半导体晶体管FET STD10P6F6 表面贴装

分立半导体晶体管FET STD10P6F6 表面贴装
分立半导体晶体管FET STD10P6F6 表面贴装
  • 型号/规格:

    STD10P6F6

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-252-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    小功率

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VIP会员 第 5
  • 企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-28892389
    0755-89605089
    0755-89605089

    手机:13713856319

    联系人:李小姐/孟小姐/孟先生

    QQ: QQ:2639752116QQ:1668697665QQ:3272088389

    邮箱:szsrqxhj@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城:办公室:华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室

商品信息

品牌  : STM

型号:     STD10P6F6


STMicroelectronics 是一家独立的全球化半导体公司,也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的领导者。 凭借在硅晶和系统专业知识、强大的制造能力、知识产权 (IP)组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合,公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿,并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用。

基本参数

数据列表       STx10P6F6;

最小包装   2,500 卷带

  类别  晶体管 - FET,MOSFET - 单


规格

FET 类型      P 沟道

技术   MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)   60V

电流

- 连续漏极(Id)(25°C 时)        10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)        10V

不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)   160 毫欧 @ 5A,10V

不同Id 时的 Vgs(th)(最大值)        4V @ 250μA

不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)       6.4nC @ 10V

Vgs(最大值)        ±20V

不同

Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)       340pF @ 48V

FET 功能      -

功率耗散(最大值) 35W(Tc)

工作温度       175°C(TJ)

安装类型       表面贴装

封装       DPAK

封装/外壳     TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


联系方式

企业名:深圳市瑞祺芯科技有限公司

类型:经销商

电话: 0755-28892389
0755-89605089
0755-89605089

手机:13713856319

联系人:李小姐/孟小姐/孟先生

QQ: QQ:2639752116QQ:1668697665QQ:3272088389

邮箱:szsrqxhj@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲电子商城:办公室:华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室

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