NAND闪存芯片IS34ML01G081-BLI

NAND闪存芯片IS34ML01G081-BLI规格：
制造商: ISSI 
产品种类: NAND闪存 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: VFBGA-63 
存储容量: 1 Gbit 
组织: 128 M x 8 
数据总线宽度: 8 bit 
电源电压-最小: 2.7 V 
电源电压-最大: 3.6 V 
电源电流—最大值: 30 mA 
最小工作温度: - 40 C 
最大工作温度: + 85 C

NAND闪存芯片IS34ML01G081-BLI低功耗宽温度范围：
-3.3V（2.7V至3.6V）单电源
-15 mA有效读取电流
-10 μA待机电流
-温度等级：
-工业：-40°C至+ 85°C
-扩展：-40°C至+ 105°C
-汽车，A1：-40°C至+ 85°C
-汽车，A2：-40°C至+ 105°C

NAND闪存芯片IS34ML01G081-BLI灵活高效的内存：
建筑:
-组织：128Mb x8
-记忆胞阵列：（128M + 4M）x 8bit
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
-页面大小：（2K + 64）字节
-块擦除：（128K + 4K）字节
-存储器单元：1bit /存储器单元

NAND闪存芯片IS34ML01G081-BLI功能框图：


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