T1G2028536-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

频率值(MHz)：
2,000
增益(dB)：
19
Psat(dBm)：
54.2
漏极效率(%)：
54

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产品分类

集成电路(IC)(1228)
∟ 逻辑IC(14)∟ 射频IC(3)∟ 时钟IC(10)∟ 其他IC(1200)∟ 处理器MPU(1)
电源IC(140)
∟ DC-AC(6)∟ DC-DC(6)∟ LED驱动IC(9)∟ 稳压IC(51)∟ 充电管理IC(4)∟ 其他电源IC(64)
半导体存储器(12)
∟ ROM（只读存储器）(2)∟ PROM（可编程ROM）(1)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(9)
二极管(163)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(11)∟ 整流二极管(11)∟ 整流二极管模块(1)∟ 稳压二极管(3)∟ 开关二极管(3)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(4)∟ 高频二极管(9)∟ 功率二极管(2)∟ ESD静电二极管(1)∟ 肖特基二极管(33)∟ 齐纳/雪崩二极管(1)∟ PIN二极管(4)∟ 其他二极管(80)
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∟ 贴片/片式/SMD三极管(1)
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电感器(24)
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电源/稳压器(16)
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石英晶体器件(3)
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商品信息

Qorvo的t1g2028536-fl是285 W（p3db）离散GaN-on-SiC HEMT由DC至2 GHz。
该装置是tqgan25hv Qorvo证明构建的过程中，它具有先进的场板技术在高漏极偏压操作条件优化的功率和效率。这种优化可能会降低系统成本方面的放大器线UPS和较低的热管理成本。
特别应用
航空电子设备
民用雷达
全球定位系统
军用雷达
和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器

关键性能
频率：直流至2 GHz
输出功率（p3db）：260 W在1.2 GHz
线性增益：18分贝在1.2 GHz
工作电压：36伏
低热阻封装

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 20.8 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 36 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 24 A
输出功率: 260 W
漏极/栅极电压: 48 V
工作温度: + 275 C
Pd-功率耗散: 288 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
配置: Single
工作频率: 2 GHz
产品: RF Power Transistor
系列: T1G
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1111394

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