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代理AOS/美国万代 AO3423 AO3423 SOT23 20V 2A P 沟道 MOS场效应管

VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市宏源世纪科技有限公司

    类型:代理商

    电话: 0755-82565523
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    手机:15012777585
    13528886641

    联系人:林先生/林小姐

    QQ: QQ:846680079QQ:624722133

    邮箱:846680079@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦B座527室

商品信息

一般描述:

AO3423采用先进的沟槽技术提供

优异的RDS(ON),低栅极电荷和栅极操作

电压低至2.5V。 这个设备适合用作

一个负载开关的应用。

产品摘要:

VDS -20V

ID(在VGS = -10V)-2A

RDS(ON)(VGS = -10V)<92mΩ

RDS(ON)(VGS = -4.5V时)<118mΩ

RDS(ON)(在VGS = -2.5V时)<166mΩ

 典型的ESD保护HBM Class 2

型号规格:

FET 类型:                                             P 沟道

技术:                                                    MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):                               20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):     2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):                          2.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):                                   1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):                       6.6nC @ 4.5V

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:                  4.5V

Vgs(最大值):                                                                 ±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):                       620pF @ 10V

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:                10V

FET 功能-功率耗散(最大值):                                          1.4W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):                               92 毫欧 @ 2A,10V

工作温度:                                                                           -55°C ~ 150°C(TJ)

主要作用:

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。折叠其特点为(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);

(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。

(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;

(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;

(5)场效应管的抗辐射能力强;

(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。




联系方式

企业名:深圳市宏源世纪科技有限公司

类型:代理商

电话: 0755-82565523
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手机:15012777585
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联系人:林先生/林小姐

QQ: QQ:846680079QQ:624722133

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地址:广东深圳深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦B座527室

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