MKP-HR IGBT 缓冲吸收电容器
DIN(创仕鼎）
无铅环保型
直插式
散装
工业电力电气设备
螺栓型
圆柱体型
0.22~3
3000V~8000V.DC
-40~+85
企业名：深圳市创仕鼎电子有限公司
类型：生产企业
电话： 0755-29948886
手机：13632956896
联系人：李明涛
QQ： 
邮箱：sales@csdin.com
地址：广东深圳光明新区楼村第一工业区明卓兴业科技园C2栋
∟ 高压电容(1)∟ 超级(法拉/黄金)电容(2)∟ 混合介质电容(4)∟ 有机薄膜介质电容(8)∟ 聚丙烯(CBB)电容(5)
MKP-HR SNUBBER薄膜电容器
1.MKP-HR SNUBBER薄膜电容器 产品特点：
1.迈拉胶带封装，阻燃环氧树脂灌注；
2.铜螺母轴向引出；
3.耐高压，损耗(tgδ)小，温升低；
4.自感(ESL)小，等效串联电阻(ESR)小；
5.高脉冲电流，高dv/dt承受能力。
2.MKP-HR SNUBBER薄膜电容器 性能参数：
|
工作温度范围/Operating temperature range |
Max. Operating temperature, Top max:+85℃ Upper category temperature:+85℃ Lower category temperature:-40℃ |
|
容量范围/Capacitance range |
0.22~3μF |
|
额定电压Un/Rated voltage Un |
3000V.DC~8000V.DC |
|
容量偏差/Cap. tol |
±5%(J); ±10%(K); |
|
耐电压/Withstand voltage |
1.35Un DC/10S |
|
损耗角正切/Dissipation factor |
tgδ≤0.001 f=10KHZ |
|
绝缘电阻/Insulation resistance |
C≤0.33μF Rs≥15000MΩ (at 20℃ 100V.DC) C＞0.33μF Rs×C≥5000S (at 20℃ 100V.DC) |
|
耐脉冲电流冲击/Withstand strike current |
见附表 |
|
引用标准/Reference standard |
IEC61071 |
3.MKP-HR SNUBBER薄膜电容器 外形图：
4.MKP-HR SNUBBER薄膜电容器 应用：
1.GTO缓冲吸收
2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压，
尖峰电流吸收保护
5.MKP-HR SNUBBER薄膜电容器 应用典型线路图：
6.MKP-HR SNUBBER薄膜电容器 部分规格：
|
Cn (μF) |
ΦD (mm) |
L (mm) |
L1 (mm) |
ESL (nH) |
dv/dt (V/μS) |
Ipk (A) |
Irms @40℃/10KHZ (A) |
|
Un=3000V.DC |
|||||||
|
0.33 |
35 |
44 |
52 |
25 |
1100 |
242 |
30 |
|
0.33 |
43 |
44 |
52 |
25 |
1000 |
330 |
35 |
|
0.47 |
51 |
44 |
52 |
22 |
850 |
399 |
45 |
|
0.68 |
61 |
44 |
52 |
22 |
800 |
544 |
55 |
|
1 |
74 |
44 |
52 |
20 |
700 |
700 |
65 |
|
1.2 |
80 |
44 |
52 |
20 |
650 |
780 |
75 |
|
Un=6000V.DC |
|||||||
|
0.22 |
43 |
60 |
72 |
25 |
1500 |
330 |
35 |
|
0.33 |
52 |
60 |
72 |
25 |
1200 |
396 |
45 |
|
0.47 |
62 |
60 |
72 |
25 |
1000 |
470 |
50 |
|
0.68 |
74 |
60 |
72 |
22 |
900 |
612 |
60 |
|
1 |
90 |
60 |
72 |
22 |
800 |
900 |
75 |
|
Un=7000V.DC |
|||||||
|
0.22 |
45 |
57 |
72 |
25 |
1100 |
242 |
30 |
|
0.68 |
36 |
80 |
92 |
28 |
1000 |
680 |
25 |
|
1 |
43 |
80 |
92 |
28 |
850 |
850 |
30 |
|
1.5 |
52 |
80 |
92 |
25 |
800 |
1200 |
35 |
|
1.8 |
57 |
80 |
92 |
25 |
700 |
1260 |
40 |
|
2 |
60 |
80 |
92 |
23 |
650 |
1300 |
45 |
|
3 |
73 |
80 |
92 |
22 |
500 |
1500 |
50 |
|
Un=8000V.DC |
|||||||
|
0.33 |
35 |
90 |
102 |
30 |
1100 |
363 |
25 |
|
0.47 |
41 |
90 |
102 |
285 |
1000 |
470 |
30 |
|
0.68 |
49 |
90 |
102 |
28 |
850 |
578 |
35 |
|
1 |
60 |
90 |
102 |
25 |
800 |
800 |
40 |
|
1.5 |
72 |
90 |
102 |
25 |
700 |
1050 |
45 |
|
2 |
83 |
90 |
102 |
25 |
650 |
1300 |
50 |
|
PS;特殊需要可根据客户要求另行设计
更多MKP-HR DC-LINK薄膜电容器的资讯，请与我们联系。 |
我们保证您收到的每一块创仕鼎电容都源自我们成熟的生产工艺以及严格的质检环节！以下为大家简单的介绍下我们的生产及质检过程！
生产工艺流程图
我们的生产设备
卷绕机: 卷绕机采用国际品牌的卷绕机，该卷绕机采用单片机模式，由门路IC控制精度高，效率好，是的卷绕设备。
真空热压:我司生产的电容全部采用真空热压的方式，该方式可以完全的去除掉电容芯子中的气泡，使膜层达到完美的贴合状态，保证容量的稳定性
电弧式喷金: 喷焊采用电弧式喷金方式，覆盖全面，且喷金厚度均匀，效率高，达到国际领先水平。
真空灌注: 我司采用真空灌注方式灌胶。该生产方式温度由温控设备恒温控制，使环氧树脂完全反应。因此，我司生产的电容内部不含气泡，达到完全绝缘，且耐高压，耐高温。
我们的品质检测
我司产品在批量生产时，每一道工序都要经过QC的严格检验。产品在芯子热压成型时采用恒温控制，有效的避免了由于温度急速变化带来的物理反应导致芯子的损害，也使芯内部薄膜与薄膜之间紧密贴合，消除气泡，降低电容器在使用时候的噪音。这是我司的一大特色工艺。
我司产品在生产完成后采用全部电检的方式，通过对C/Tv/IR/DF四大项的全部检测，来筛选出合格的产品。其检测设定数值在客户要求的基础上提高到2倍，优于国际规定的1.6倍，以此来保证出厂的产品全部100%合格
我司产品在出货之前，由专门的QC人员对C/Tv/IR/DF及外观尺寸、印字等抽检。产品通过检测后，由专门的送货人员或物流处理。我司已与多家国际物流签订协议，确保产品能够完好无损的运输到客户的手中。
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