供应SI2301DS 场效应管 SI2301 SOT23封装 VISHAY品牌 SOT23-3 P沟道MOS 2.3A

SI2301:P沟道MOSFET(场效应管)

主要参数：

晶体管类型 ： P沟道MOSFET
功耗PD ： 1.25W
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温：55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)

品牌	Vishay/威世通	型号	SI2301DS-T1-E3	种类	绝缘栅(MOSFET)
沟道类型	P沟道	导电方式	增强型	用途	S/开关
封装外形	SMD(SO)/表面封装	封装形式	SOT-23	应用范围	功率

供应SI2301DS 场效应管 SI2301 SOT23封装 VISHAY品牌 SOT23-3 P沟道MOS 2.3A

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  IC品牌：ADI，NS/TI，MAXIM/DALLAS，FSC/IR/VISHAY、MICROCHIP，NXP/ON，INFINEON DIODES， FREESCALE ,ATMEL, AVAGO, XILINX、ALTERA等

   二三极管：IR/VISHAY  ST  NXP   ROHM   CJ 等

   电感： MURATA   TAIYO  TOKO  TDK  coilcraft等

   电容： YAGEO   FH  AVX  KEMET  NEC  VISHAY等

   电阻： YAGEO  ROYALOHM  KOA等

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