制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFET  RoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VSONP-8通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:100 ARds On-漏源导通电阻:4.2 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:1.1 VVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:11.8 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:3.2 W配置:Single商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1 mm 长度:6 mm 系列:CSD17306Q5A 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.9 mm 商标:Texas Instruments 正向跨导 - 值:105 S CNHTS:8541210000 HTS Code:8541290095 MXHTS:85423999 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs TARIC:8542399000 典型关闭延迟时间:18.4 ns 典型接通延迟时间:7.8 ns 单位重量:86 mg

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