数据列表 MT46V128M4,64M8,32M16;
标准包装   1,080
类别 集成电路（IC）
产品族 存储器
系列 -


规格
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR
存储容量 512Mb （32M x 16）
时钟频率 200MHz
写周期时间 - 字，页 15ns
访问时间 700ps
存储器接口 并联
电压 - 电源 2.5 V ~ 2.7 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）

供应商器件封装 66-TSOP

英特尔执行官保罗·欧德宁上个星期称，英特尔可能会把NAND闪存芯片生产外包出去。星期六（2月28日）的一篇报道称，台积电可能会与英特尔谈判提供NAND闪存的新合同。我认为大家要回到“人本”的观点，来思考产业的再出发，也就是在摒除奢华、回归务实的消费模式下，再以创新突破的思维塑造新契机。

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