2SC1623 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

2SC1623 FEATURES

• High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA)

• High Voltage: VCEO = 50 V

2SC1623 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Collector to Base Voltage                            VCBO            60                V

Collector to Emitter Voltage                        VCEO             50               V

Emitter to Base Voltage                               VEBO           5.0               V

Collector Current (DC)                                  IC               100             mA

Total Power Dissipation                                PT                200            mW

Junction Temperature                                   Tj               150             °C

Storage Temperature Range                         Tstg          −55 to +150    °C

企业名：珠海市金盈电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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