STF19NM50N
ST(意法半导体)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
超大功率
企业名:深圳市廊宇达半导体有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-88609305
手机:18823380190
联系人:小玉
邮箱:2934568953@qq.com
地址:广东深圳福田区华强北赛格广场5406
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: N-channel MDmesh
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 17 ns
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 330 mg
金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
从名字表面的角度来看的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,随后栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中,多晶硅栅已经不是主流技术,从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始,栅极开始重新使用金属。。
在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是。
里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。
企业名:深圳市廊宇达半导体有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-88609305
手机:18823380190
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友情链接: 深圳市元东发电子有限公司