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MOSFET_STF19NM50N原装现货

供应MOSFET_STF19NM50N原装现货
供应MOSFET_STF19NM50N原装现货
  • 型号/规格:

    STF19NM50N

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

普通会员
  • 企业名:深圳市廊宇达半导体有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-88609305

    手机:18823380190

    联系人:小玉

    QQ: QQ:2934568953

    邮箱:2934568953@qq.com

    地址:广东深圳福田区华强北赛格广场5406

商品信息

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

Qg-栅极电荷: 34 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

系列: N-channel MDmesh  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 17 ns  

上升时间: 16 ns  

工厂包装数量: 1000  

典型关闭延迟时间: 61 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns  

单位重量: 330 mg  

 

   

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。


从名字表面的角度来看的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,随后栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中,多晶硅栅已经不是主流技术,从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始,栅极开始重新使用金属。。

在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是。

里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。






联系方式

企业名:深圳市廊宇达半导体有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-88609305

手机:18823380190

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