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GOFORD厂家直销 MOS管30N04 40V 30A DFN3*3 封装

  • 型号/规格:

    30N04

  • 品牌/商标:

    GOFORD

  • 封装形式:

    DFN3*3-8L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

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VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市谷峰电子有限公司

    类型:原厂制造商

    电话: 0755-29961262
    0755-29961262
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    手机:15995238632
    15861688081
    18118913227

    联系人:王芹/汪玉洁/吕美

    QQ: QQ:3426406552QQ:363373458QQ:2250644426

    邮箱:goford@aliyun.com

    地址:广东深圳宝安区49区华创达文化科技产业园F501-512

产品分类
商品信息

30N04 40V 30A DFN3*3-8L 超低内阻 增强型场效应管

深圳市谷峰电子有限公司(GOFORD ELECTRONICS)

是GOFORD SEMICONDUCTOR谷峰半导体的全资子公司。位于美国硅谷(半导体圣地)的美国公司主要从事产品的研发和设计,香港公司GOFORDSEMICONDUCTOR HONG KONG负责整个亚太区的市场。深圳的谷峰电子GOFORD ELECTRONICS和无锡的羿胜华业科技YISUN SCIENCE & TECHNOLOGY为中国市场的主要销售和运营机构。

深圳市谷峰电子有限公司


Product BVDSS ID PACKAGE
(V) (A)

9N40

400V

9A

TO-251/252

18N20

200V

18A

TO-251/252

630A

200V

9A

TO-251/252

5N20A

200V

5A

TO-251/252

G2002

200V

2A

TO-92

2002A

200V

2A

SOT-23-6

1002

100V

2A

SOT-23

G1002

100V

2A

TO-92

G1002L

100V

2A

SOT-23-3L

G1003B

100V

5A

SOT-23-3L

G1003A

100V

5A

SOT-23-3L

G1005A

100V

5A

SOT-23-3L

G1006A

100V

6A

TO-92

11N10C

100V

11A

TO-251/252

G15N10C

100V

15A

TO-252

18N10

100V

18A

TO-252

03N06
06N06L

60V

3A

SOT-23-3L

3400(L)

30V

5.8A

SOT-23

2300

20V

5.2A

SOT-23

表格料号不全,更多料号请电询或QQ联系,谢谢!



产品型号:GOFORD 30N04     参数:40V  30A      封装:DFN3*3-8L


备注:厂家直销,欢迎选购!



产品种类:
MOSFET
品牌:
GOFORD
型号:
30N04
FET 型:
N-channel
VDSS: 30V
ID: 40A
RDS(no)@4.5V:
RDS(no)@10V: mΩ
PD: W
封装: DFN3-3-8L
包装: 3K/盘
Rohs:
Lead free / RoHS Compliant



深圳市谷峰电子有限公司


GOFORDSEMI.谷峰半导体一直致力于研发和销售功率MOSFET产品,技术包括平面工艺,沟槽工艺和最先进的SPLITGATE技术。

产品专注于节能,可靠和不断创新,以不断提供高性价比的产品来满足市场需求。

GOFORDSEMI.谷峰半导体致力于最大限度地满足客户的需求,为客户提供最可靠和最具成本优势的产品。

GOFORSEMI坚持不断创新,不断改善,建立与工程师和客户共同价值的合作伙伴。

GOFORDSEMI.拥有一组具有丰富半导体经验的设计、研发和销售团队,团队多数成员在世界一流公司有过丰富的工作经验。

GOFORDSEMI.广泛整合国外和亚太地区先进的生产技术和丰富的人力资源,在产品和市场上不断开拓创新。


(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 

(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结, 

N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏场效应管压,等等。

(3)MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。

尤其要注意,不能将MOS场效应管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;

在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接

地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以

把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。



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类型:原厂制造商

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QQ: QQ:3426406552QQ:363373458QQ:2250644426

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