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三星原装DDR3现货K4B8G1646B-MCK0

三星原装DDR3现货K4B8G1646B-MCK0
三星原装DDR3现货K4B8G1646B-MCK0
  • 型号:

    K4B8G1646B-MCK0

  • 品牌:

    SAMSUNG

  • 封装:

    96-FBGA

  • 类别:

    存储器

  • 存储器类型:

    DDR3

  • 存储容量:

    8G

  • 工作温度:

    0℃~85℃

  • 电压:

    1.5V

  • 速度:

    DDR3-1600 (800MHz @ CL=11, tRCD=11, tRP=11)

  • 包装:

    托盘装

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普通会员
  • 企业名:深圳市凌旭科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82797778

    手机:13692179527

    联系人:张艳平

    QQ: QQ:2881930211

    邮箱:2513336575@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区上步工业区501栋407室

产品分类
商品信息 更新时间:2017-09-19

一、简单描述

型号:K4B8G1646B-MCK0

品牌:SAMSUNG

封装:96-FBGA

类别:存储器

存储器类型:DDR3

存储容量:8G

工作温度:0℃~85℃

电压:1.5V

速度:DDR3-1600 (800MHz @ CL=11, tRCD=11, tRP=11)

包装:托盘装

二、DDAM的简介

 计算DRAM是一种RAM(随机访问存储器),作为通用计算设备的主要内存,例如桌面和笔记本电脑。它是当前

一代计算机中使用广泛的半导体存储器,并提供了几个重要的优点,例如高密度的封装密度(可以存储在芯片

面积的单位字节数),低功耗,和足够高的数据读/写速度。这种记忆通常被称为DRAM,它经历了一些创新的

技术发展,并提供非常高的价格/性能比率。 

双数据率(DDR)和它的高端衍生品DDR2和DDR3被认为是DRAM内存的行业标准商业版本。半导体设计、开发和

制造过程的进步使高性能DRAM存储器的发展成为可能,使得设备和应用的设计,例如超薄的笔记本电脑成为可

能。DRAM内存的逐步发展导致了较低电压的新版本,从而增加了电力节省的水平。DDR1,初的DRAM内存,

被DDR2取代,很快被DDR3取代——目前广泛使用的版本。DDR4是管道中的下一个变种,预计将在更低的

电压下运行,同时提供两倍于DDR3的带宽。 
一代的DRAM内存不仅更快,而且效率高,包含了专门的车载电源管理功能,以减少内存空闲周期中的

功耗。当前的DRAM,如DDR2和DDR3,在非常低的电压下运行,大大降低了电力消耗,并延长了电池供电设备

的可用时间,比如笔记本电脑。此外,使用越来越密集的制造流程,DRAM芯片与逐步提高能力正在制作,不仅减少

计数芯片进入终产品的数量,而且回收板上一代芯片会占据空间内的产品应用程序——一个显著的优势,比如

笔记本电脑和便携式电脑。 

三、K4B8G1646B-MCK0引脚分布及尺寸

i

四、K4B8G1646B-MCK0的实拍图


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企业名:深圳市凌旭科技有限公司

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