产品种类:  IGBT 晶体管   
制造商:  ON Semiconductor   
RoHS:   详细信息  
封装 / 箱体:  TO-247-3   
安装风格:  Through Hole   
配置:  Single   
集电极—发射极电压 VCEO:  600 V   
集电极—射极饱和电压:  1.5 V   
栅极/发射极电压:  +/- 20 V   
在25 C的连续集电极电流:  63 A   
Pd-功率耗散:  208 W   
工作温度:  - 40 C   
工作温度:  + 150 C   
系列:  HGTG30N60C3D   
封装:  Tube   
商标:  ON Semiconductor / Fairchild  
集电极连续电流:  63 A  
集电极连续电流 Ic:  63 A  
栅极—射极漏泄电流:  +/- 100 nA  
高度:  20.82 mm  
长度:  15.87 mm  
工厂包装数量:  30  
技术:  Si  
宽度:  4.82 mm  
零件号别名:  HGTG30N60C3D_NL  
单位重量:  6.390 g

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