QPD1015L
Qorvo
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
HEMT
20 dB
N-Channel
企业名:中杰盛科技有限公司
类型:
电话: 0755-22968359
手机:13530907567
联系人:朱先生 张小姐 周先生
微信:
邮箱:1125805706@qq.com
地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 20 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
输出功率: 70 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 64 W
安装风格: Screw
封装 / 箱体: NI-360
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 3.7 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1015LPCB401
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V
企业名:中杰盛科技有限公司
类型:
电话: 0755-22968359
手机:13530907567
联系人:朱先生 张小姐 周先生
微信:
邮箱:1125805706@qq.com
地址:广东深圳柜台都会B座15,深圳市龙岗区龙诚街道五联社区规划路25号202