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ST/意法16A晶闸管 BTA16-600B TO-220AB 双向可控硅
双向可控硅 BTA16-600B的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | ||
| VDRM/VRRM |
断态重复峰值电压 |
600 | V | ||
| IT(RMS) |
通态均方根电流(full sine wave) |
16 | A | ||
|
ITSM |
通态不重复浪涌电流 |
F=50 Hz | t=20ms | 160 | |
| F=60 Hz | t=16.7ms | 168 | |||
| I2t | I2t值 | tp=10ms | 144 | A2s | |
| dI/dt | 通态电流临界上升率 | F=120 Hz | Tj=125℃ | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | tp=20μs | Tj=125℃ | 4 | A |
| PG(AV) | 门极峰值电流 |
Tj=125℃ |
1 | W | |
| Tstg |
存储温度 |
-40~+150 |
℃ |
||
| Tj |
工作温度 |
-40~+125 | |||
双向可控硅 BTA16-600B的电特性：
| 符号 | 测试条件 | 象限 | 数值 | 单位 |
| IGT |
VD=12V RL=33Ω |
I-II-III | 50 |
mA |
| IV | 100 | |||
| VGT | ALL | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM RL=3.3kΩ Tj=125℃ | ALL | 0.2 | |
| IH | IT=500mA | 50 |
mA |
|
|
IL |
IG=1.2 IGT |
I-III-IV | 60 | |
| II | 120 | |||
| dV/dt | VD=67%VDRM gate open Tj=125℃ | 400 |
V/μs |
|
|
(dV/dt)c |
(dI/dt)c=7 A/ms Tj=125℃ |
10 | ||
双向可控硅 BTA16-600B的封装外形尺寸：
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