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EMBJ0N20G SOP-8 N沟道贴片MOS管 场效应管
场效应管 EMBJ0N20G的主要参数：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 200 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
| 漏极电流-连续 | ID | 1.1 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 4.4 | A |
| 温度范围 | PD | 2.5 | W |
| 温度范围 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
| 结到管壳的热阻 | RθJC | 25 | ℃/W |
| 结到环境的热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
场效应管 EMBJ0N20G的电气特性：
| 参数 | 符号 | 值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | 200 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS | 1 | 2 | 3 | |
| 栅极漏电流 | IGSS |
|
|
±100 | nA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) |
|
0.8 | 1 | Ω |
| 输入电容 | Ciss |
|
618 |
|
pF |
| 输出电容 | Coss |
|
14 |
|
|
| 反向传输电容 | Crss |
|
12 |
|
|
| 栅源电荷密度 | Qgs |
|
2.1 |
|
nC |
| 栅漏电荷密度 | Qgd |
|
4.2 |
|
|
| 开启延迟时间 | td(on) |
|
15 |
|
nS |
| 上升时间 | tr |
|
50 |
|
|
| 关断延迟时间 | td(off) |
|
15 |
|
|
| 下降时间 | tf |
|
35 |
|
场效应管 EMBJ0N20G的封装外形尺寸：
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