N沟道场效应管 FIR3N80FG-D TO-220F 塑封MOSFET

塑封MOSFET FIR3N80FG-D的极限值：

• 漏极-源极电压：800V
• 漏极电流-连续：3A
• 栅极-源极电压：±30V
• 单脉冲雪崩能量：320mJ
• 雪崩电流：3V
• 功耗(Tj=25℃)：39W
• 工作结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃
• 焊接温度：300℃

塑封MOSFET FIR3N80FG-D的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：800V
• 栅极开启电压：5V
• 静态漏源导通电阻：5Ω
• 输入电容：705pF
• 输出电容：57pF
• 反向传输电容：7pF
• 开启延迟时间：40ns
• 开启上升时间：90ns
• 关断延迟时间：70ns
• 开启下降时间：70ns
• 栅源电荷密度：3.5nC
• 栅漏电荷密度：7.7nC

塑封MOSFET FIR3N80FG-D的热阻：

符号	参数	数值	单位
RθJC	结到管壳的热阻	3.2	℃/W
RθJA	结到环境的热阻	120

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