美国福斯特功率MOS FIR5N50AFG-D TO-220F 500V高压场效应管

500V高压场效应管 FIR5N50AFG-D的极限值：

符号	参数	数值	单位
VDSS	漏极-源极电压	500	V
ID	漏极电流-连续 Tj=25℃	5.0	A
	漏极电流-连续 Tj=100℃	2.2
VGS	栅极-源极电压	±30	V
EAS	单脉冲雪崩能量	270	mJ
IAR	雪崩电流	5.0	A
PD	功耗	38	W
Tj	工作结温	150	℃
Tstg	存储温度	-55+150
TL	焊接温度	300

500V高压场效应管 FIR5N50AFG-D的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：500V
• 栅极开启电压：4V
• 静态漏源导通电阻：1.6Ω
• 输入电容：1000pF
• 输出电容：95pF
• 反向传输电容：11pF
• 开启延迟时间：35ns
• 开启上升时间：120ns
• 关断延迟时间：60ns
• 关断下降时间：80ns
• 栅源电荷密度：3.4nC
• 栅漏电荷密度：6.4nC

500V高压场效应管 FIR5N50AFG-D的热阻：

• 结到管壳的热阻：3.28℃/W
• 结到环境的热阻：120℃/W

500V高压场效应管 FIR5N50AFG-D的封装外形尺寸：

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