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FIR5N60FG-M 600V插件场效应管 TO-220F 塑封N沟道功率MOS管

FIR5N60FG-M 600V插件场效应管 TO-220F 塑封N沟道功率MOS管
FIR5N60FG-M 600V插件场效应管 TO-220F 塑封N沟道功率MOS管
  • 型号/规格:

    FIR5N60FG-M

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • VDSS:

    600V

  • ID:

    4.5A

  • RDS(ON):

    1.8Ω

  • PD:

    30W

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

    手机:13809624202

    联系人:谭平

    QQ: QQ:154312370

    邮箱:tanping@yushin88.com

    地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

商品信息



FIR5N60FG-M 600V插件场效应管 TO-220F 塑封N沟道功率MOS管



600V插件场效应管 FIR5N60FG-M的极限值:

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压
VDSS 600 V
栅极-源极电压
VGS ±30 V
漏极电流-连续 TC=25℃
ID
4.5 A
漏极电流-连续 TC=100℃
3.2
漏极电流-脉冲
IDM 16 A
功耗 PD 30 W
雪崩电流
IAS 4.5 A
单脉冲雪崩能量
EAS
200 mJ
重复雪崩电流 IAR 4.5 A
重复雪崩能量
EAR 30 mJ
工作结温 Tj 150
存储温度范围 Tstg -55~150


600V插件场效应管 FIR5N60FG-M的电特性:

  • 漏极-源极击穿电压:600V
  • 栅极开启电压:4V
  • 零栅压漏极电流:1uA
  • 栅极漏电流:±100nA
  • 静态漏源导通电阻:2.3Ω
  • 正向跨导:3.5S
  • 输入电容:535pF
  • 输出电容:55pF
  • 反向传输电容:6.8pF
  • 开启延迟时间:8.5ns
  • 开启上升时间:6.5ns
  • 关断延迟时间:31ns
  • 开启下降时间:8.5ns
  • 栅源电荷密度:3nC
  • 栅漏电荷密度:6nC



600V插件场效应管 FIR5N60FG-M的封装外形尺寸:

联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 076989268116

手机:13809624202

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