高压场效应管 N沟道MOS FIR2N90BPG-T TO-251

高压场效应管 FIR2N90BPG-T的极限值：

• 漏极-源极电压：900V
• 漏极电流-连续：2A
• 栅极-源极电压：±30V
• 单脉冲雪崩能量：180mJ
• 雪崩电流：2A
• 功耗：25W
• 工作结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃
• 焊接温度：300℃

高压场效应管 FIR2N90BPG-T的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：900V
• 栅极开启电压：5V
• 静态漏源导通电阻：7.2Ω
  
• 输入电容：720pF
• 输出电容：45pF
• 反向传输电容：5pF
• 开启延迟时间：40ns
• 开启上升时间：80ns
• 关断延迟时间：50ns
• 开启下降时间：70ns
• 栅源电荷密度：2.8nC
• 栅漏电荷密度：6.1nC
  

高压场效应管 FIR2N90BPG-T的封装外形尺寸：

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