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增强型N沟道场效应晶体管 FIR200N04PG TO-220 功率MOS管

  • 型号/规格:

    FIR200N04PG

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • VDSS:

    40V

  • ID:

    200A

  • RDS(ON):

    4mΩ(Max)

  • PD:

    260W

  • PDF资料:

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  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:代理商

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    联系人:谭平

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商品信息



增强型N沟道场效应晶体管 FIR200N04PG TO-220 功率MOS管



功率MOS管 FIR200N04PG的极限值:


  • 漏极-源极电压:40V
  • 栅极-源极电压:±20V
  • 漏极电流-连续:200A
  • 漏极电流-脉冲:790A
  • 功耗:260W
  • 单脉冲雪崩能量:1500mJ
  • 工作结温和存储温度范围:-55~+175℃





功率MOS管 FIR200N04PG的电特性:


  • BVDSS:40V
  • IDSS:1μA
  • IGSS:±100nA
  • VGS(th):4V(Max)
  • RDS(ON):4mΩ(Max)
  • gfs:60S
  • Ciss:9600pF
  • Coss:890pF
  • Crss:530pF
  • td(on):21nS
  • tr:37nS
  • td(off):75nS
  • tf:40nS
  • Qgs:36nC
  • Qgd:56nC




功率MOS管 FIR200N04PG的封装外形尺寸:


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:代理商

电话: 076989268116

手机:13809624202

联系人:谭平

QQ: QQ:154312370

邮箱:tp3621@126.com

地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

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