福斯特场效应管价格 FIR50N03LG TO-252 30V/50AN沟道MOSFET

福斯特场效应管价格 FIR50N03LG的极限值：

• 漏极-源极电压：30V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：50A
• 漏极电流-脉冲：140A
• 功耗：60W
• 单脉冲雪崩能量：70mJ
• 工作结温和存储温度范围：-55~+175℃
  

福斯特场效应管价格 FIR50N03LG的电特性：

参数	符号	测试条件	值	典型值	值	单位
漏极-源极击穿电压	BVDSS	VGS=0V,ID=250μA	30	33		V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS=30V,VGS=0V			1	μA
栅极漏电流	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V			±100	nA
栅极开启电压	VGS(TH)	VDS=VGS,ID=250μA	1	1.6	3	V
静态漏源导通电阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=25A		8	11	mΩ
		VGS=5V,ID=20A		10	16
正向跨导	gfs	VDS=5V,ID=20A	15			S
输入电容	Ciss	VDS=15V,VGS=0V,F=1MHz		2000		pF
输出电容	Coss			280
反向传输电容	Crss			160
开启延迟时间	td(on)	VDD=15V,ID=20A, VGS=10V,RGEN=1.8Ω		10		nS
开启上升时间	tr			8
关断延迟时间	td(off)			30
关断下降时间	tr			5
栅源电荷密度	Qgs	VDS=10V,ID=25A,VGS=10V		7		nC
栅漏电荷密度	Qgd			4.5

福斯特场效应管价格 FIR50N03LG的封装外形尺寸：

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